HfO2:Al薄膜Al组分对结构和电学性质的影响开题报告
2020-07-26 10:07
1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)
文 献 综 述 21世纪以来,电子信息产业在我国发展迅猛。
电子信息产业发展主要由电子材料和电子器件的发展带动。
材料领域,半导体材料和介电氧化物材料作为近年来应用最广,发展最快的两类典型电子信息材料。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
一、本课题要研究的问题 研究hfo2:al薄膜中掺杂al组分对hfo2薄膜结构和电学性质的影响。
二、本毕业设计准备完成的方法 利用物理沉积技术制备系列不同组分的hfo2:al薄膜。
物理沉积技术:物理气相沉积(physical vapor deposition,pvd)技术表示在真空条件下,采用物理方法,将材料源#8212;#8212;固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
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