MoS2导电薄膜的制备及物性研究开题报告
2020-07-26 10:07
1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)
自从geim等人利用透明胶带技术对二维石墨烯进行机械剥落的开创性工作以来,石墨烯因其有趣的机械和电子性能而引起了广泛的关注。
[1] 然而,尽管具有奇特的特性和丰富的物理基础,但由于缺乏电子能带隙和石墨烯大面积生长的困难,研究人员开始探索新的二维材料,二维无机材料正在成为制造现代电子器件的首选材料。
如层状过渡金属硫化物(tmds),像mos2、mose2、ws2和wse2 。
剩余内容已隐藏,您需要先支付后才能查看该篇文章全部内容!
2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
本课题拟利用物理沉积技术在石英衬底上制备mos2薄膜,通过调控生长工艺参数(温度、气压)实现对mos2薄膜的电导率的控制。
总结工艺条件对mos2薄膜电学输运性质的影响。
要求生长温度:25-700℃;气压:0.01~10pa。
剩余内容已隐藏,您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容!立即支付
您可能感兴趣的文章
- 利用物联网驱动的直流太阳能电池外文翻译资料
- 基于FPGA的IIR滤波器设计与仿真外文翻译资料
- 用顶粒晶种溶液生长法生长含锡钙钛矿单晶的研究外文翻译资料
- 甲基铵的超高敏感性使溴化钙钛矿单晶与环境气体作用外文翻译资料
- 层状钙钛矿型有机-无机杂化物(R- NH3)2(CH3NH3)Pb2I7的合成与表征外文翻译资料
- 基于紫外吸收的微型个人臭氧检测仪外文翻译资料
- 三阶非线性薛定谔方程的静态解的稳定性: 应用于玻色 – 爱因斯坦凝聚外文翻译资料
- 双核光纤中的调制不稳定性外文翻译资料
- 具有渐变折射率层的角度不敏感窄带光栅滤波器外文翻译资料
- ZnO纳米/微米棒在Zn箔上的合成,结构和变温光致发光外文翻译资料