1. 研究目的与意义（文献综述）

随着人们生活水平的提高，科学技术领域的快速发展，各种磁传感器件深入了人们的日常生活。而磁阻效应几乎是整个磁传感工业的核心，在汽车、航空航天、电子罗盘计算机、装备制造业等诸多领域有着广泛的应用^[1]。因此，磁阻效应的研究有着非常重要的价值。

磁阻效应（magnetoresistance,mr）是指材料的电阻率随外加磁场变化而变化的效应，具体分为正常磁阻效应，铁磁金属磁阻效应，巨磁阻效应，庞磁阻效应等^[2]。1986年格林贝尔^[3]在研究fe/cr/fe三明治结构时发现，当cr厚度合适时，两层fe之间通过cr层形成反铁磁耦合，根据这一结果fert研究（fe/cr）n多层膜，使其磁电阻得以放大。2004年sun等^[4]设计了一个简单的gaas/si-gaas/au结构器件，并在工作电压都大于临界电压条件下，在高外加磁场条件下得到了左右的磁阻，而且在低磁场下也观察到了1000%的磁阻效应。2008年j.j. h. m. schoonus等^[5]进行了掺硼硅中极大磁电阻的研究。

虽然各类材料中的磁阻效应层出不穷，但是寻求一种新材料是科研人员永不能止步的目标。自2004年成功地从石墨上剥离出了石墨烯后，二维材料的研究进入了高速发展的时期。二维纳米材料在电子/光电子器件、催化反应、能量存储和转换、传感器以及生物医药极具前景应用。因此二维材料已经成为凝聚态物理学、材料科学、化学以及纳米科技领域最热门的研究课题^[6]。

2. 研究的基本内容与方案

2.1 基本内容

研究内容：

1、通过固相合成法和等离子活化烧结技术得到snse₂晶体，探索制备工艺snse₂相组成和微结构的影响规律；

2、研究不同温度，不同磁场和材料的结构对snse₂单晶和多晶电输运性能的影响规律，从而探索出snse₂半导体材料磁阻效应的影响因素。

3. 研究计划与安排

第1－3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，准备实验原材料、熟悉制备和测试设备。提交文献综述报告，并独立完成开题报告。

第4－5周：掌握放电等离子体烧结技术制备材料的原理方法，制出snse₂半导体材料。

第6－8周：调整改进snse₂半导体材料的制备工艺和物质组分，并对样品进行微结构表征测试。

4. 参考文献（12篇以上）

[1] 蔡建旺. 磁电子学器件应用原理[j]. 物理学进展, 2006,26(2): 180-227.

[2] 刘恩科，朱秉升，罗晋生.半导体物理学[m].电子工业出版社，2008.

[3]grunberg p, schreiber r , pang y , et al. layered magnetic structures: evidencefor antiferromagnetic coupling of fe layers across cr interlayers[j]. physicalreview letters, 1987, 61(8):3750-3752.