SnSe2半导体材料的磁阻效应研究开题报告

 2020-02-10 11:02
1.目的及意义(含国内外的研究现状分析)

随着人们生活水平的提高,科学技术领域的快速发展,各种磁传感器件深入了人们的日常生活。而磁阻效应几乎是整个磁传感工业的核心,在汽车、航空航天、电子罗盘计算机、装备制造业等诸多领域有着广泛的应用[1]。因此,磁阻效应的研究有着非常重要的价值。

磁阻效应(Magnetoresistance,MR)是指材料的电阻率随外加磁场变化而变化的效应,具体分为正常磁阻效应,铁磁金属磁阻效应,巨磁阻效应,庞磁阻效应等[2]。1986年格林贝尔[3]在研究Fe/Cr/Fe三明治结构时发现,当Cr厚度合适时,两层Fe之间通过Cr层形成反铁磁耦合,根据这一结果Fert研究(Fe/Cr)n多层膜,使其磁电阻得以放大。2004年Sun等[4]设计了一个简单的GaAs/SI-GaAs/Au结构器件,并在工作电压都大于临界电压条件下,在高外加磁场条件下得到了左右的磁阻,而且在低磁场下也观察到了1000%的磁阻效应。2008年J.J. H. M. Schoonus等[5]进行了掺硼硅中极大磁电阻的研究。

虽然各类材料中的磁阻效应层出不穷,但是寻求一种新材料是科研人员永不能止步的目标。自2004年成功地从石墨上剥离出了石墨烯后,二维材料的研究进入了高速发展的时期。二维纳米材料在电子/光电子器件、催化反应、能量存储和转换、传感器以及生物医药极具前景应用。因此二维材料已经成为凝聚态物理学、材料科学、化学以及纳米科技领域最热门的研究课题[6]

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