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单层Cu2Si电子结构的第一性原理计算研究任务书

 2020-04-07 08:04  

1. 毕业设计(论文)主要内容:

自从石墨烯在实验上被成功制备出来以来,具有原子级别厚度的二维材料引起了人们广泛的研究兴趣。

很多二维材料都具备独特的电子性质,在未来的科学研究及技术发展中将占有十分重要的地位。

因此,探究具有新物性的二维材料来拓展其在未来高科技领域的发展是一个非常重要的研究课题。

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2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

1. 阅读二维材料及其第一性原理研究方面的相关文献(不少于15篇,其中英文不少于5篇),并翻译其中一篇英文文献(不少于5000字)。

2. 独立完成开题报告,并提交文献综述报告(不少于3000字;参考文献不少于10篇,其中外文不少于5篇)。

3. 熟悉至少一种第一性原理计算的软件(castep、vasp 或 atk),掌握构建晶胞模型、选择计算参数的方法。

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3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

第1-3周:查阅相关文献资料,明确研究内容,熟悉计算软件;完成开题报告。

第4-5周:理解计算原理方法,掌握结构建模、计算参数的选择。

第6-8周:计算不同应变下单层cu2si的电子结构,总结应变调控cu2si能带结构的规律性。

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4. 主要参考文献

[1] Feng B, Fu B, Kasamatsu S, et al.Experimental realization of two-dimensional Dirac nodal line fermions inmonolayer Cu2Si.[J]. Nature Communications, 2017, 8(1):1007.

[2] DavidS.Sholl, JaniceA.Steckel. 密度泛函理论[M]. 国防工业出版社,2014.

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