1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

自从geim等人利用透明胶带技术对二维石墨烯进行机械剥落的开创性工作以来，石墨烯因其有趣的机械和电子性能而引起了广泛的关注。

[1] 然而，尽管具有奇特的特性和丰富的物理基础，但由于缺乏电子能带隙和石墨烯大面积生长的困难，研究人员开始探索新的二维材料，二维无机材料正在成为制造现代电子器件的首选材料。

如层状过渡金属硫化物(tmds)，像mos2、mose2、ws2和wse2 。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题拟利用物理沉积技术在石英衬底上制备mos2薄膜，通过调控生长工艺参数（温度、气压）实现对mos2薄膜的电导率的控制。

总结工艺条件对mos2薄膜电学输运性质的影响。

要求生长温度：25-700℃；气压：0.01～10pa。