全文总字数：2000字

1. 研究目的与意义及国内外研究现状

目的:

分析硅膜在不同厚度和热应力下的薄膜应力分布和挠度情况，了解ansys的使用方法，深化对ansys软件的理解以及matlab的数据分析方法研究，综合应用所学知识，以薄膜的变形理论为依据，通过ansys软件对圆形薄膜和方形薄膜进行了仿真计算。最后根据仿真的结果总结了一些薄膜的优化方案。

研究意义：

2. 研究的基本内容

2.研究学习硅压力传感器的原理，包括了解压阻式压力传感器的工作原理，以及薄膜的变形理论。

3.研究本设计中所用的硅的材料特性，以及在现代元器件基础材料方面硅的使用；

4.利用有限元分析软件ansys对硅膜在不同厚度和热应力下的薄膜应力分布和挠度情况进行模拟。以薄膜的变形理论为依据，通过ansys软件对圆形薄膜和方形薄膜进行了仿真计算。最后根据仿真的结果总结了一些薄膜的优化方。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

实行方案：

（1）（1）查阅参考文献学习硅压力传感器的模型设计方法。

（2）用ansys建立腔长变化模型，分析硅膜在不同厚度和热应力下的薄膜应力分布和挠度情况。

4. 参考文献

[1]朱目成,夏季,张立红,刘强.硅压阻式传感器性能影响因素的研究[j].兵工自动化,2000(02):45-47 51.

[2]李帅,王建平.碳化硅压力传感器结构仿真及优化[j].电子世界,2017(22):12-14.

[3] a mohan, a malshe, s aravamudhan, etal.. piezoresistive mems pressure sensor and packaging for harsh oceanicenvironment [c]. electronic components and technology conference,2004, 1: 948-950.