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射频二极管的建模研究开题报告

 2021-12-28 08:12  

全文总字数:1150字

1. 研究目的与意义及国内外研究现状

pin二极管在可应用在微波开关、光电二极管及衰减器等场景,应用范围广泛。厂家给出的参数难以覆盖我们应用的方方面面,如果对二极管进行建模,得到二极管在我们给定工作条件下得模型后,我们可以就可以给出二极管在实际工作环境下的整体情况的仿真,观察其表现,对于电路的设计和研究有重要的意义。

国内外研究现状

pin二极管的建模分为数值模型和解析模型,都是由二极管的双极扩散方程衍生的,区别在于对方程的解不同。数值模型在数据的误差不大的情况下有很高的精度,但是其需要预先知道二极管的很多参数。而解析模型在参数的提取方面会比较方便,但是其精度低于数值模型。在仿真的时间花费来说,解析模型较之数值模型所需要的时间较短。

pin二极管的建模研究主要集中在对于其在高频率大信号下的建模,传统的二极管模型将注意力集中在二极管的外在部分,并在准静止的假设下拟合内在部分的曲线。近来的研究是将原先用于三端口网络的非准静止模型应用于二极管,效果较之前者更为方便和准确。

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2. 研究的基本内容

首先测得二极管两端口之间的S参数,再将其拟合到ADS的基本二极管模型中去。在本文中这一步骤中所用到的方法主要是将二极管中等效的电压相关期器件和不相关器件分离,从而单独测出两部分的整体参数,使用的方法是在电路外部并联电压不相关器件的负值元件,由此来确定电压不相关器件的参数,在ADS软件中进行参数优化得到最适合的参数,最后完成二极管的建模。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

1、制作相对于二极管夹具的标准件

2、应用trl校准法来测得二极管的s参数

3、在ads软件中将二极管的基本模型确定,在其上加上电压独立器件的负值元件,从而测得二极管电压独立部分的参数。

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4. 参考文献

戚玉佳gaas pin 二极管电热特性

yunshen longa 3-d table-based method for non-quasi-static

jonathan hansen and kai chang diode modeling for rectenna design

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