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钛靶电流密度对其放电过程的影响研究开题报告

 2020-05-17 09:05  

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

文 献 综 述

1.引言

制备薄膜有两种沉积方法,第一种为物理气相沉积法(pvd);第二种为化学气相沉积法(cvd)。cvd方法是使气态的物质发生化学反应,之后生成的固态物质沉积在被加热的样品表面,从而获得固体薄膜材料的工艺技术。化学气相沉积法(cvd)本质上属于原子范畴,被广泛的应用于提纯、沉积多晶、沉积单晶、制备新晶体等多个领域。物理气相沉积(pvd)技术是指在真空条件下,采用物理方法,将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。pvd技术属于环境友好型,是未来工业生产发展的趋势。20世纪90年代初至今,物理气相沉积技术在表面处理方面得到越来越为广泛的应用。其制备方法细化分为:分子束外延法、真空蒸发镀膜、离子镀模法、溅射镀膜法、电弧镀膜等方法,沉积步骤:第一步是镀料的气化:即使镀料蒸发或被溅射,也就是通过镀料的气化源;第二步是镀料原子、分子或离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后,产生多种反应;第三步则是镀料原子、分子或离子在基体上沉积[1-3]。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

研究问题:课题是在微弧条件下,利用微弧离子镀设备探索钛靶的伏安特性曲线,研究钛靶放电的欧姆与反欧姆区间,寻找到微弧区间。再通过钛靶电流改变钛靶的电流密度,研究钛靶镀料粒子在产生过程中随着钛靶电流密度而产生的变化。

研究手段:用金相显微镜观察ti靶表面形貌,利用sem、xrd对薄膜进行晶相分析、相组成分析等。

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