CCD是于1969年由美国贝尔实验室Bell Labs）的维拉#183;博伊尔(Willard S. Boyle)和乔治#183;史密斯（George E. Smith）所发明的[1]。

随着半导体微电子技术的迅猛发展, 其技术研究取得了惊人的进展。

由于CCD具有光电转换、信息存储等功能, 在图像传感、信号处理、数字存储三大领域内得到了广泛应用, 尤其是在图像传感领域内的应用前景最为迅速, 因而受到世界各国的普遍重视[2]。

80年代初期HAD(HOLE-ACCUMULATION DIODE)CCD传感器问世，HAD是在N型基板，P型，N 2极体的表面上，加上正孔蓄积层。

由于设计了这层正孔蓄积层，可以使感测器表面常有的暗电流问题获得解决。

另外，在N型基板上设计电子可通过的垂直型隧道，使得开口率提高[3]。

80年代后期，因为CCD中每一像素的缩小，将使得受光面积减少，感度也将变低。

为改善这个问题，索尼在每一感光二极管前装上微小镜片(ON-CHIP MICRO LENS)，使用微小镜片后，感光面积不再因为感测器的开口面积而决定，而是以微小镜片的表面积来决定。

所以在规格上提高了开口率，也使感亮度因此大幅提升。

关于ON-CHIP MICRO LENS的介绍可见[4]。