SnO2形貌调控及SnO2/MoS2复合光催化性能研究开题报告
2020-04-30 04:04
1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)
半导体光催化已被广泛认为是一种很有潜力的技术,在很大程度上满足了当前环境与能源问题的要求.一般来说,通过掺杂元素、缺陷工程、贵金属沉积、窄带半导体耦合半导体形成杂化异质结或复合材料等方法,可以扩大光响应范围,提高电子空穴对的分离效率.sno2成本低、无毒、可商用、化学稳定性好,已广泛应用于光催化、传感器、探测器、太阳能电池等领域。
然而,sno2是一个贫穷的光子的吸收太阳光谱的可见部分能量带隙宽的限制在300 k (3.6 ev),例如综合氧空位掺杂和贵金属沉积的优点,可以利用缺陷调制型方法,引起的拉伸光吸收电子和空穴对的有效分离综合作用,使复合材料具有显著的光降解活性。
通过一种简单的策略,同时实现了可见光响应和电荷分离效率的提高。
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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
研究手段: 1、查找国内外相关文献,掌握一般检索方法,了解SnO2材料研究及应用的最新进展; 2、掌握水热及热分解法SnO2制备工艺过程; 3、理解不同制备材料的工艺下材料的特点; 4、熟练掌握超声催化评价体系; 5、学会整理实验数据,总结实验结果,并提出改进意见。
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