SnS2水热制备及催化性能研究文献综述
2020-04-30 04:04
一 研究背景及意义 二维(2D)材料的分离在过去几年中引起了人们极大的关注。
众所周知,材料的基本性质与原子的组成和排列密切相关。
与块状石墨相比,2D石墨烯具有多种特殊的特性。
然而,具有零带隙(Eg)的原始石墨烯的缺点限制了其在场效应晶体管(FET)和逻辑电路的制造中的发展。
近年来,石墨烯类似物,特别是金属双卤素类化合物,由于其具有良好的带隙和在自然界中大量存在而得到了广泛的研究。
二硫化锡(SnS2)是一种重要的IV#8722;Ⅵ型半导体,其带隙为2.18#8722;2.44eV,其具有很强的光学各向异性,在气敏、光催化[27]、太阳能电池和阳极材料等领域有着广泛的应用[1, 22]。
SnS2是一种具有层状碘化镉(CdI2)结构的n型半导体。
锡原子夹在两个紧密堆积的硫原子之间,形成六方堆积. 具有各种形态的SnS2,例如纳米线,纳米棒,纳米板和纳米花,已经通过自下而上或自上而下的方法制备。
Jing Yu[3]等人提出了一种简单的一步法溶剂热法,用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂制备SnS2纳米片。
Peng Chen[4]等人通过一步微波辅助技术制备还原的氧化石墨烯(RGO)纳米片支撑的SnS2纳米片。
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