Nb掺杂对PZT薄膜电学性能的影响任务书

 2020-02-11 12:02

1. 毕业设计(论文)主要内容:

锆钛酸铅(pzt)薄膜具有优异的介电、铁电、压电性能而被广泛的研究和应用。

pzt薄膜的性能与很多因素有关,包括化学计量组成、掺杂和微观结构。

但其与pt基底接触性差,容易形成氧空位、pt扩散造成漏电流较大,疲劳性能较差,导致其在器件应用受到了限制。

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2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

1.查阅不少于15篇相关文献资料,其中近5年英文文献不少于3篇,了解国内外相关研究概况和发展趋势,了解选题对社会、健康、安全、成本以及环境等的影响,完成开题报告;
2.完成不少于5000字的英文文献翻译;
3. 掌握用溶胶-凝胶制备PZT薄膜的方法;
4. 掌握PZT薄膜电学性能测试方法;
5.总结国内外相关研究概况和发展趋势,总结选题对社会、健康、安全、成本以及环境等的影响,分析实验数据,撰写毕业论文,字数不少于1.2万字。

3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

第1-3周:查阅相关文献资料,完成英文翻译。

明确研究内容,了解研究所需原料、仪器和设备。

确定技术方案,并完成开题报告。

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4. 主要参考文献

[1] The effect of Mn/Nb doping on dielectric and ferroelectric properties of PZT thin films prepared by sol–gel process[J]. Journal of Sol-Gel Science and Technology, 2015, 74(2):378-386.
[2] Mi X, Zhang Z, Zhang W, et al. Effect of La and W dopants on dielectric and ferroelectric properties of PZT thin films prepared by sol–gel process[J]. Applied Physics A, 2018, 124(1):8
[3] Li Q, Wang X, Wang F. Effect of neodymium substitution on crystalline orientation, microstructure and electric properties of sol-gel derived PZT thin films[J]. Ceramic International, 2018, 44:7709-7715
[4] Klissurska R D, Brooks K G, Reaney I M, et al. Effect of Nb Doping on the Microstructure of Sol—Gel‐Derived PZT Thin Films[J]. Journal of the American Ceramic Society, 2010, 78(6):1513-1520.

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