纳米管状g-C3N4@ZnIn2S4复合材料的制备及其光催化性能研究任务书

 2020-02-11 12:02
设计(论文)主要内容

二维层状ZnIn2S4具有适宜的能带结构,其禁带宽度约2.7eV左右,可吸收波长450nm以下的太阳光,且其导带电位较大多数光催化半导体材料更负,因而在光催化产氢及降解染料等应用上具有明显优势。但是ZnIn2S4同时也存在光催化材料普遍表现出的载流子复合几率高的问题,载流子的复合对光催化性能有很大的限制作用。构筑半导体异质结是有降低载流子复合几率的思路之一,不同的半导体在其界面处构建的内建电场有利于光生电子和空穴向相反的方向移动,从而达到分离的效果。本课题采用同为可见光响应的g-C3N4与ZnIn2S4复合,拟将ZnIn2S4纳米片在g-C3N4纳米管内外壁进行包覆,使复合材料具备较大的比表面积,同时构筑半导体异质结以促进载流子的分离,进而提高材料的光催化性能。

您需要先支付 5元 才能查看全部内容!立即支付

该课题毕业论文、开题报告、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找,微信号:bysjorg 、QQ号:3236353895;