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AlGaN半导体薄膜光学性质的研究开题报告

 2022-01-25 11:01  

全文总字数:1820字

1. 研究目的与意义及国内外研究现状

通过一系列实验设计研究algan外延膜的光学性质与入射光频率,铝含量的关系。找到algan半导体薄膜光学性质的规律,并在此规律上对algan材料进行优化。

aln、gan、inn及其合金等iii族氮化物是最重要的宽带隙半导体材料体系之一,它们具有宽的直接带隙,高的击穿电场和热导率、高的电子饱和速率及耐化学腐蚀等特点,这些优良的物理性质和化学性质在光学器件,电子器件以及特殊的半导体器件领域有着广泛的应用前景。

algan材料在短波长紫外光led应用领域非常广泛,深紫外发光二极管应用领域非常广泛,是氮化物半导体研究领域中非常重要的研究方向。但由于高al组分algan材料制备比较困难,因此围绕algan半导体薄膜的光学性质的研究有助于对algan材料在光学器件中运用。

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2. 研究的基本内容

1.拟采用的资料和方法

①资料:国内外对于algan薄膜结构以及相似的gan基结构、aln基结构研究的相关论文,对其光学特性研究的相关论文。

②方法:合成分析和相关分析。

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3. 实施方案、进度安排及预期效果

1.实行方案:

在导师的指导下,自己设计,独立分析,同时注意参考已有的研究文献,与其他人的研究结果相结合,论证其他人的结论或提出自己的结论。

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4. 参考文献

[1]. 李超.李雪.许金通等.gan及algan薄膜透射光谱的研究[j].光子学报,2009,38(9):2294-2297

[2]. 徐招弟 周新木 徐鹏.半导体薄膜及外延层材料摇摆曲线的动态模拟[j].化工时代.2005,19(09):26-28

[3]. 李雪,魏彦峰,龚海梅,方家熊.纤锌矿gan薄膜光学性质的研究[j].光子学报,2007(02):304-307.

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