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单晶半导体和绝缘体二次电子发射及其应用开题报告

 2022-01-18 10:01  

全文总字数:6076字

1. 研究目的与意义及国内外研究现状

随着空间研究,扫描电子显微镜,等离子体物理,半导体物理和电子信息技术的发展,半导体和绝缘体(si)的二次电子发射(see)可以应用于越来越多的领域。

关于si 的see特征已经做了很多工作。

然而,由于si的see特征的极端复杂性,我们很难理解它们。

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2. 研究的基本内容

本文介绍了三种计算微扰χ的方法,并分别给出了推导公式和相应计算参数 ,包括B和LiF的一些MSI的χ。计算表明,用这三种方法计算的χ≥0.5eV和 Eg≥0.6eV的MSI是正确的。据估算,与有效δms(χ, Eg)计算得χ的相比,误差小于17%,与δm(χ, Eg)的计算平均值中的χ的比较,误差约5.7%。

SEE发生在不同的真空度。到目前为止,研究人员测量了不同真空度(包括真空度不足)的 δm(χreal,Eg) 和 Epoms(χreal, Eg),但从未定量分析真空度对χreal

B(χreal, Eg)和λ(χreal, Eg)s的影响,因此,定量研究真空度变化对χrealB(χreal, Eg)和λ(χreal, Eg)s的影响是有必要的。根据本文得到的 Epoms(χreal, Eg),B(χreal, Eg) 和λ(χreal, Eg)s公式,计算分析了真空度变化对χrealB(χreal, Eg)和λ(χreal, Eg)s的定量影响。研究表明,此方法是正确且合理的。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

推导了单晶半导体和绝缘体(msi)分别在χ≥0.6ev且eg≥0.6 ev条件下的δms(χ,eg) epoms(χ, eg), b(χ, eg)与 λ(χ, eg)s的公式,并证明了公式的正确性;其中δms(χ,eg) 是msi的最大二次电子系数,χ为原始电子亲和势,eg为禁带宽度,epoms(χ, eg) 是对应于δms(χ,eg) 的主要入射能量, b(χ, eg)是内部二次电子在到达msi表面时逃逸到真空中的概率, λ(χ, eg)s是msi发射的二次电子的平均逃逸深度。

分别给出了用推导的δms(χ,eg) 公式计算χ和用epoms(χ, eg) 推导公式计算χ的方法。

结果表明,用这两种方法计算的最小均方误差(χ)分别为χ≥0.6ev和 eg≥0.6ev是正确的。

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4. 参考文献

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