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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

肖特基势垒的反向隧穿电流是其漏电流的重要机理。常见的肖特基势垒反向隧穿电流计算模型有三个：场发射 （ＦＥ）和热场发射（ＴＦＥ）、Fowler-Nordheim隧穿模型以及基于 ＷＫＢ近似的积分计算模型。这三种模型均在研究中被广泛应用。然而算个模型之间的关系以及各自的优缺点以及局限性却缺乏一定的分析，在应用中被广泛的误用，因此对此需要由深入的分析和澄清。

国内外研究现状

大量的研究认为直接隧穿效应在各类半导体材料肖特基接触的反向漏电流中起着主要作用. 在计算能力相当有限的时代，使用基于WKB近似的肖特基势垒直接隧穿电流的积分计算模型公式（以下简称积分计算模型）进行计算相当不便. 为了简化计算便于研究，研究人员通过近似的方法将复杂的积分计算模型简化为一些更易于计算的解析公式，Fowler-Nordheim模型就是其中之一. 该模型需要指出的是，由于FN模型是由近似方法得到的，所以它有很严苛的适用条件，因此也具有很强的局限性. 但调研发现其适用条件和局限性在部分研究工作没有得到充分的考虑。

2. 研究的基本内容

1）分析wkb近似在肖特基势垒反向漏电流计算中的局限性。

2）分析fowler-nordheim隧穿模型的局限性。

3）分析肖特基势垒反向隧穿电流对肖特基势垒性质的依赖关系

3. 实施方案、进度安排及预期效果

3月1-15日，完成绪论；

3月15-31日，完成第二章wkb近似

4. 参考文献

1. 吴铁峰, et al., 小尺寸应变si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型. 物理学报, 2011. 60(2): p. 7.

2. yong, l., et al., on the reverse leakage current of schottky contacts on free-standing gan at high reverse biases. chinese physics b, 2017. 26(2): p. 027105.

3. padovani, f.a. and r. stratton, field and thermionic-field emission in schottky barriers. solid-state electronics, 1966. 9(7): p. 695-707.