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毕业论文网 > 开题报告 > 理工学类 > 应用物理 > 正文

基于磁畴转动模型的Fe3O4薄膜磁电阻磁场依赖性研究开题报告

 2020-06-07 09:06  

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

磁电阻(mr)效应作为一个早就被人们所熟知的现象,指材料对磁场的响应导致的电阻变化。

所有的非磁性金属都具有内在的磁电阻,铁磁金属的磁电阻效应长期以来就被应用于磁传感器[1]。

磁电阻效应产生的机理是由于电子在磁场中运动产生洛仑兹力,导致电子沿电流方向发生偏转或沿螺旋线进动[2-3],从而使传导电子的散射截面增大,故使其电阻增大。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题利用简单的磁畴转动模型,探索具有高自旋极化率的fe3o4薄膜的磁电阻与磁场的依赖关系。

找出磁电阻mr与磁场h之间的函数方程,并根据所得mr方程对fe3o4薄膜磁电阻进行分析解释。

本课题中fe3o4薄膜用脉冲激光沉积(pld)制备,并用四探针法测量样品的室温磁电阻。

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