碳化硅MOSFET驱动过程分析及设计任务书

 2020-04-08 03:04

1. 毕业设计(论文)主要内容:

与同等硅器件相比, 碳化硅(SiC)MOSFET具有更小的结电容和导通电阻,可以实现10 倍以上的开关速度。因此,基于SiC 器件的电力电子系统往往有更高的系统效率和功率密度。但在电力电子系统中,SiC MOSFET 的开关特性易受系统杂散参数的影响,表现为电磁能量脉冲形态属性的非理想特性, 并进一步影响系统效率和可靠性。分析SiC MOSFET开关瞬态过程,设计MOSFET驱动电路。

2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

任务要求:

1.查阅相关文献,不少于15篇,其中英文至少3篇;翻译相关外文资料英文字符不少于15000个。了解mosfet及其驱动的发展经历及趋势,认真撰写开题报告。

2.分析sic mosfet开关瞬态过程,设计mosfet驱动电路。

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3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

时间安排:

1-2周查阅相关文献资料;

3-4周撰写开题报告,

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4. 主要参考文献

[1] zhang z, dix j, wang f, et al. intelligent gate drive for fast switching and cross-talk suppression of sic devices[j]. ieee transactions on power electronics, 2017, pp(99):1-1.

[2] mukunoki y, nakamura y, horiguchi t, et al. characterization and modeling of a 1.2-kv 30-a silicon-carbide mosfet[j]. ieee transactions on electron devices, 2016, 63(11):4339-4345.

[3] 王旭东, 朱义诚, 赵争鸣,等. 驱动回路参数对碳化硅mosfet开关瞬态过程的影响[j]. 电工技术学报, 2017, 32(13):23-30.

[4] 龙根, 罗志清, 查明,等. 100khz低频功放sic mosfet串扰分析与驱动设计[j]. 电力电子技术, 2017(8):34-36.

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