1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述

一． 前言

氧化锌(zno)为Ⅱ-Ⅵ族氧化物，是一种宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37ev ^[1]，激子约束能为60 mev ^[2]，远大于其他宽禁带半导体(如 gan 晶体为25 mev), 光增益系数为 300 cm ^{-1 [3]}。zno在光电器件、传感器、短波长发光二极管(led)、uv激光器和催化剂等方面具有广泛的应用背景。在Ⅱ-Ⅵ的cds,cdse体系中，人们通过在一种半导体纳米颗粒的表面包裹另一种半导体材料形成核/壳结构,成功地提高了纳米体系的荧光量子产率和稳定性，并通过改变壳层的参量，调整了体系萤光辐射的范围。在不同的生长条件下，zno会发育成多种不同形态的晶相^[4-7]。zns作为一种直接带隙电子过剩本征半导体,其禁带宽度为3.6ev,电子和空穴迁移率分别为120cm²/v#183;s和5cm²/v#183;s,是电致发光和光致发光的常用基质材料。作为一种多色性发光材料，zns的发光覆盖了全部可见光至紫外光波段, 掺入不同的激活剂(如cu、mn和mo等)可得到从蓝色至橙色的发光^[8-12]。目前核/壳纳米结构被证明是一种有效的改变材料特性的手段，广泛用于微电子、光电子和光学器件等方面。以宽带隙半导体(zns)微粒为壳层,包覆带隙相对较窄的半导体(zno)纳米微粒,可以使表面缺陷减少,从而提高内核的光致发光量子产率,增强光稳定性。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题要解决的问题：

1.通过二次生长法在zno纳米线外延生长出形貌较为完好的连续zns壳层。

2.通过优化实验过程，找到光电转化效率最佳的条件。