半导体氧化物/金属功能复合材料的制备和应用文献综述
2020-04-13 01:04
1.背景 氧化锌(ZnO)作为一种直接带隙宽禁带半导体(3.37eV),在制陶业、压电式转换器、光学涂层、高速显示设备、气体传感器、压敏电阻、光催化剂、光电池方面有着潜在的应用。
近来ZnO纳米材料在光催化领域的应用日益增长,主要得益于其相对稳定的物理化学性能、低成本、结构可调制等优点。
在光激发条件下,ZnO产生的电子空穴对容易发生复合,从而使量子效率下降。
同时由于ZnO只对紫外光有显著的响应,从而限制了其在可见光波段光催化领域的应用。
为了提高ZnO材料的光催化性能和适用领域,一个有效的途径是合成ZnO/贵金属纳米复合材料。
在新型高效的纳米光催化复合材料中[1-6],贵金属纳米粒子与ZnO复合可以显著提高其光催化性能。
ZnO/Ag复合光催化材料在太阳光或紫外光作用下可以产生氧化能力很强的#8226;OH,#8226;OH可以将有机污染物降解为水、二氧化碳等,无二次污染,而且光降解成本低,反应条件温和,因此受到越来越多的关注。
此外,ZnO/Ag纳米复合材料具有合适的能带结构,有利于使光激发传输的电子或空穴向半导体颗粒表面富集。
ZnO/Ag纳米复合材料同时拥有较大的比表面积,有利于与反应物充分接触。
以上优点为ZnO/Ag纳米复合材料在降解有机污染物方面的应用提供了保证。
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