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利用ALD对ZnO纳米线的优化调控及其光电性能开题报告

 2020-06-07 09:06  

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

文 献 综 述

一. 前言

氧化锌(zno)是一种重要的多功能半导体氧化物,广泛应用于能源转换,电子,光学,催化和传感领域。过去十年来,水热合成的发展大大促进了自下而上的纳米科技,这种方法的一般优点在于低成本、低合成温度、温和和环境友好的反应条件,并且易于放大。此外,通过这种方法产生的一个有利的优点是提供具有特定形态或排列的zno纳米结构的可能性,其与实际器件的功能要求直接相关以获得最佳性能。例如,良好对准的结晶zno纳米线已经生长在柔性有机基板上,与无机有机混合led的设计相容。 通过与不同的光刻技术的组合容易地实现了在晶片规模上的图案化zno纳米线阵列的高通量制造,其特别地适用于基于zno的光发射器和电致变色显示器。在低温碱性水热合成中,通过在晶体表面引入具有对特定zno的优先结合能力的封端剂,zno纳米线的纵横比的系统操作已经实现朝向形态耦合光催化活性或场发射的目标。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题要解决的问题:

1. 大面积zno 单晶纳米线阵列的液相生长以及优化。

2. 以zno 单晶纳米线为模板,加入c面抑制剂,实现外延生长。

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