1. 毕业设计（论文）的内容和要求

首先对带隙基准电压源的工作原理进行深入的探讨，分析和比较了几种经典结构的带隙基准电压源，深入分析了影响带隙基准电压源性能的误差因素，分析了带隙基准电压源高阶温度补偿的方法。

然后，在对带隙基准电压源理论分析的基础之上，针对不同的应用需求，采用 smic 0.18 um 工艺设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。

在常规一阶温度补偿的基础上， 采用动态阈值 mos 管产生温度补偿电流，修正基准源输出的温度曲线，降低了输出电压的温度系数；运用 mos 管构成的低通滤波器，滤除高频噪声，提高了基准源的电源抑制比。

2. 参考文献

[1] 曹应伟．高电源抑制比带隙基准电压源设计[D] ．哈尔滨：哈尔滨理工大学，2017． [2] 张静．CMOS 带隙基准源高阶温度补偿的设计与仿真[D]．成都：西南交通大学，2013． [3] 王剑．CMOS带隙基准源研究以及应用[D]．南京：南京邮电大学，2015． [4] 温威．CMOS Pipeline ADC/带隙基准电压源的设计 [D]．长沙：湖南大学，2014． [5] ALHASSSAN N, ZHOU Z, SANCHEZ SINENCIO E. An All-MOSFET Sub-1-V Voltage Reference With a #8212;51 #8211;dB PSR up to 60 MHz [J]. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 2017, 25(3): 919-928. [6] CHEN H M, LEE C C, JHENG S H, et al.A Sub-1 ppm/℃ Precision Bandgap Reference With Adjusted-Temperature-Curvature Compensation [J]. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2017, 64(6): 1308-1317. [7] COLOMBO D M, WIRTH G, BAMPI S.Sub-1V band-gap based and MOS threshold-voltage based voltage references in 0.13 μm CMOS[J]. Analog Integrated Circuits Signal Processing, 2015, 82(1): 25-37. [8] CORDOVA D, TOLEDO P, KLIMACH H, et al. A High-PSR EMI-Resistant NMOS-Only Voltage Reference Using Zero-TV Active Loads [J]. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2017, 59(4): 1347-1355. [9] LUONG P, CHRISTOFFERSEN C, ROSSI-AICARDI C, et al.Nanopower, Sub-1 V, CMOS Voltage References With Digitally-Trimmable Temperature Coefficients [J]. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers,2017,64(4):787-798. [10] FEI L, ZONGYU D, CHENKUN W, et al. Ultra-high precision bandgap voltage reference using a novel current trimming technique[C]. Proceedings of the 2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT). 2016: 77-80.

3. 毕业设计（论文）进程安排

1-2 收集资料，撰写开题报告； 3-5 确定电路，进行电路设计； 5-10 原理图设计，ADE仿真； 10-14 版图设计及LVS校验； 15-16 撰写毕业设计论文，参加毕业设计答辩。