1. 研究目的与意义（文献综述）

在测试技术研发和产业上，美国、日本和德国走在了世界的前列。光电检测技术主要方面的突破产生于美国，在研发上走在世界的前列，当前，国内外很多公司和厂家都在研制APD测试设备，典型的国外生产厂家有：美国的keithley、TEK公司、Agilent公司、labsphere公司等。以美国的keithley公司为例，由于这个公司具有先进的仪器设计制造技术，该公司主要研究具有通用功能的设备，如2400、6450等源表，这种仪器类似于万用表，既可以输出电压测电流信号也可以输出电流测量电压信号，精度可以达到fA级，因此这种表常用于测量APD雪崩二极管，但是由于这种表不是针对APD管测试研制的，因此对于APD的一些参数需要借助其他设备共同完成，此外源表的精度很高价格也很高，高的精度远远超出了APD管测试系统的需要。这就激发了人们研究APD雪崩二极管测试系统热情。

2. 研究的基本内容与方案

本次设计的基本内容是利用c语言编写适应运行在单片机测试平台的能对apd雪崩二极管的击穿电压vbr、暗电流ib、响应度及倍增因子m等参数进行测量并通过液晶屏显示的自动测试软件。

本次设计在编程环境上选择的是windows系统 keil，并通过proteus模拟单片机运行。

软件实现测试功能如下：

击穿电压vbr：是在管上的电流为10ua时确定的，因此单片机的ad采样i-v变换的电压，通过计算得到对应apd管上的电流，如果检测的电流不是10ua，则调整da2输出的电压，这个电压值加在adl5317芯片的vset端上，通过芯片的内部倍压加到apd管上，调整apd管输出的电流，当ad样到电压值对应电流为10ua，这时加在apd管上的电压就是击穿电压vbr，转换到da2对应的值，单片机保存此时的击穿电压，这个过程需要单片机不断逼近的扫描，最终确定击穿电压的那个值，这一步是整个系统测试的关键。

3. 研究计划与安排

第1周—第4周 搜集资料，撰写开题报告；

第5周—第6周 论文开题；

第7周—第12周 撰写论文初稿；

4. 参考文献（12篇以上）

【1】丁国庆．ingaas／ingaasp／inpsagm--apd暗电流与光倍增因子的温度特性【j】．光通信研究，2006，(04)．
【2】詹福如，袁宏永，苏国锋．光电探测器微变信号检测电路的设计．激光与红外．2002，32(1)
【3】郭赛，丁全心，羊毅．雪崩光电探测器的噪声抑制技术研究【j】．电光与控制，2012，(03)．
【4】sun x，davidson f m，bou_tsikaisl and abshire j b．receiver characteristics of laser altimeters withavalanche photodiode ieee trans．aerospace and electronicssystems，1 992，28(1)：268-274
【5】】ribordy g，gautier j d，zbinden h，et a1．performanceof ingaas／in_p avalanche photodiodes asgated-mode photon counters．appl optics，1998，37(1 2)：2272-2277．
【6】h．nie，k．a．anselm，et a1．high—speed resonant-cavity separate absorptionand multiplication avalanche photodiodes with 130ghz gain-bandwidth product．appl．phys．lerer，1997(70)．16l～163
【7】曾毓敏．低耗低纹波可控式apd偏置电路[j]．半导体光电2002，(01)．
【8】v．rajamani，p．chakrabarti．noise performance of an inp／ingaas superlattice avalanche photodiode[j]．optical andquantum electronics，1 999，31(1)．

【9】季国平.蓬勃发展的光电子产业[j].世界电子元器件.2001(6):5-7.

【10】吕华，新型雪崩探测器特性的研究[d]，华南理人学，2005年6月