登录

  • 登录
  • 忘记密码?点击找回

注册

  • 获取手机验证码 60
  • 注册

找回密码

  • 获取手机验证码60
  • 找回
毕业论文网 > 开题报告 > 电子信息类 > 通信工程 > 正文

APD老化系统控制电路的设计与实现开题报告

 2020-10-31 09:10  

1. 研究目的与意义(文献综述)

1、目的及意义(含国内外的研究现状分析)

1.1 研究目的及意义

APD雪崩二极管作为高速光电系统的关键器件,随着光电技术的发展更显现出其重要性。而目前APD雪崩二极管测试主要依赖国外的设备,存在测试参数不完善和价格高的问题,不能满足APD管生产测试的需要,因此本课题开发了APD雪崩二极管测试系统。该系统采用集成度高的片上集成雪崩二极管(APD)偏置电压控制和光电流检测功能的器件,具有很好的防干扰性能,同时系统增加了光源,弥补了现有系统不能直接对APD管响应度测量的不足,实现了在同一台测试系统上快速的对APD管多种特性参数的测试。该系统可以对APD管的击穿电压、暗电流、响应度和倍增因子进行测试。

通信速度的越来越快,再度激起人们对高速光电系统和光电子器件研究的兴趣。APD管具有响应速度快和扩流的作用,在通信飞速发展的今天得到广泛的使用。APD雪崩二极管测试系统的研究为APD管的生产和测试带来了方便,目前用于APD雪崩二极管测试的系统,基本上是使用源表对APD雪崩二极管进行测试,数字源表可以输出很高的电压和微弱的电流,具有很高的精度,可以用于各种需要测电流电压的场合,但是价格很昂贵,同时由于这种表不专门用于测试APD雪崩二极管,不具有光源输出的功能,因此对于APD雪崩二极管一些参数的测量需要借助外接光源,操作比较费时,效率不高,为了节省APD管生产成本和适应快速测试的需要,APD雪崩二极管测试系统的研究已经成为急需解决的课题。

对于连续工作的APD雪崩光电探测器,系统对其工作寿命提出了较高的要求,但是迄今有关雪崩光电探测器寿命研究的报道甚少,因此本课题要研制一个雪崩光电探测器的自动老化测试电路,通过该系统可以推断出APD雪崩光电探测器的使用寿命。

1.2 国内外研究现状

在测试技术研发和产业上,美国、检测技术主要方面的突破产生于美国,日本和德国走在了世界的前列阴。光电在研发上走在世界的前列,当前,国内外很多公司和厂家都在研制APD测试设备,典型的国外生产厂家有:美国的keithley、TEK公司、Agilent公司、labsphere公司等。以美国的Keithley公司为例,由于这个公司具有先进的仪器设计制造技术,该公司主要研究具有通用功能的设备,如2400、6450等源表,这种仪器类似于万用表,既可以输出电压测电流信号也可以输出电流测量电压信号,精度可以达到fA级,因此这种表常用于测量APD雪崩二极管,但是由于这种表不是针对APD管测试研制的,因此对于APD的一些参数需要借助其他设备共同完成,此外源表的精度很高价格也很高,高的精度远远超出了APD管测试系统的需要。这就激发了人们研究APD雪崩二极管测试系统热情。

目前,国外的APD测试设备主要是使用源表来测试参数的,源表的价格很高,对于APD管的响应度测量还需要借助外部设备提供光信号,不具有针对性,国内研究APD测试设备主要是大学和研究所,这些都是科研的需要,对于APD管生产上的应用还需要一定的时间,武汉、宁波和杭州的一些仪器公司研发了实验系统,这些系统精度不高,主要用于教学实验。在这种情况下,研究具有高精度的APD生产测试系统是非常有意义的。

2. 研究的基本内容与方案

2、研究(设计)的基本内容、目标、拟采用的技术方案及措施

雪崩光电二极管(APD)是一种高灵敏度、高速度的光电二极管,施加反向电压时,能启动其内部的倍增机制。APD的增益可以通过调节反向偏置电压的幅度来控制,在APD管工作的电压范围内,反向偏置电压越高增益就越高。APD雪崩二极管测试系统主要测量的参数:反向击穿电压、暗电流、响应度和倍增因子M。典型APD测试系统测量的电流范围为10nA~10uA;驱动电压范围为10~60V之间;同时需要测量APD管的响应度需要提供稳定的光功率,APD管具有倍增效应光功率不能太大,定为-10dbm。APD测试系统主要用于测量雪崩二极管的参数,测试系统整体方案框图如图1所示。

图1 测试系统整体方案框图

图1为APD测试系统整体方案框图,系统需要内部产生光脉冲信号,光脉冲入射到APD雪崩二极管上产生与光功率对应的光电流,APD光电流检测电路用于检测对应的光电流,系统中APD管工作电压范围10V-60V之间,要找到击穿电压,需要加在APD二极管上的电压可以调节,这就要用到DC-DC升压电路,将小的电压升到要求的高压上去,MCU通过编程间接调节这样的高压,最后通过上位机界面或液晶显示。

APD老化筛选及寿命测试原理是基于Arrhenius模型,利用该模型可以发现由温度应力决定的退化速度的依赖关系,即

lnL=A EakT

式中L为寿命,Ea为激活能,A、k为常数,T为开氏温度。根据式 (1)可计算出理论寿命。

通过采集恒流工作APD的反向击穿电压随时间变化的信息及所处环境的温度,绘制APD的老化曲线,然后推断APD的使用寿命 。

3. 研究计划与安排


3、进度安排

第1-3周:查阅相关文献资料,明确研究内容,了解研究所需理论基础。确定方案,完成开题报告。

剩余内容已隐藏,您需要先支付后才能查看该篇文章全部内容!

4. 参考文献(12篇以上)

[1]吕华,新型雪崩探测器特性的研究[D],华南理工大学,2005年6月
[2]COVAS,GHIONI M,LOTITO A,eta1.Evolution and prospects forsingle—photon avalanche diodes and quenching circuits[J].Journal of Modem Optits,2004,51:1267—1288.
[3]季国平.蓬勃发展的光电子产业[J].世界电子元器件.2001(6):5-7
[4]冯一飞.光电器件综合测试评价系统研究和设计[D].浙江大学,2006
[5]Colace,Masini,CapelliniG,et a1.Metal-semiconductor-metalnear-infrared light detector based on epitaxial Ge/Si.Appl phys Lett,1998,72:175
[6]缪家鼎.光电技术[M].杭州:浙江大学出版社,1995.
[7]宋丰华.现代光电器件及应用.北京:国防工业出版社,2004:125-160
[8]K.Smimov,A.Komeev,O.Minaeva,et al,UltrathinNbN film superconducting single·photon detector array,Journal of Physics:Conference Series 2007,61:1081-1085
[9]刘霄.基于光电测量的光接收系统的应用[D].吉林大学,2007
[10]GallivanoniA.,Rech I.,Resnati D.,et al,Optically heterodyne diagnosis of ahigh—saturation-power undoped InP sandwiched InGaAs p-i-n photodiode grownonGaAs,Optics Express,2006,14:5031-5037

[11]曲洪丰.光电探测器特性一体化实验系统研究[D].浙江大学,2006

[13]刘卫东,刘延冰,刘建国.检测微弱光信号的PIN光电检测电路的设计[J].电测与仪表,1999,(04).

[14] Xu J, Chen X, Wang W, etal. Extracting dark current components and characteristics parameters forInGaAs/InP avalanche photodiodes[J]. Infrared Physics amp; Technology, 2016,76:468-473.

[15] Campbell J C, Dentai AG. Recent advances in avalanche photodiodes[J]. IEEE Journal of SelectedTopics in Quantum Electronics, 2004, 10(4):777-787.

[16] Czuba K, Jurenczyk J,Kaniewski J. A study of InGaAs/InAlAs/InP avalanche photodiode[J].Solid-State Electronics, 2015, 104:109-115.

剩余内容已隐藏,您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容!立即支付

企业微信

Copyright © 2010-2022 毕业论文网 站点地图