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超薄高质量MoS2薄膜的制备工艺研究开题报告

 2020-05-01 08:05  

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

通过对于mos2薄膜制备以及表征方面论文的研读,了解了为什么要对mos2进行大量的开发研究,mos2的基本特性,应用,目前科研上采用的制备方式,优缺点以及研究进展。

2004年英国曼彻斯特大学geim a k等[1]利用机械胶带法从石墨中成功剥离单层石墨烯以来,人们开始对新型二维单层纳米材料进行火热的研究。

而二硫化钼(mos2)作为新型二维纳米材料的一种,因为其有与石墨烯类似的层状结构与独特的性能获得了广泛的关注。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

经过论文的研读,以及多种不同方法制备超薄mos2薄膜的研究。

本人决定采用脉冲激光沉积的方法在sio2和蓝宝石al03衬底上研究制备超薄高质量mos2薄膜。

首先进行基片的清洗,将基片浸泡在丙酮中超声清洗10分钟,反应去除表面表面杂质,再用乙醇超声10分钟,最后用去离子水超声10分钟,反复次过程3-5次直到拿出基片时表面无水滴,只有一层致密的水膜,并且实验前用n2将其吹干。

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