PLD制备HfO2基薄膜的电学性质调控研究任务书
2020-04-29 07:04
1. 毕业设计(论文)的内容和要求
本课题拟利用PLD技术制备系列HfO2基介电薄膜,通过金属离子掺杂、等离子掺杂等技术调控HfO2基薄膜电学参数,使其适用于NCFET的绝缘栅层。
并结合理论研究结论,探寻最佳工艺参数窗口。
2. 参考文献
1. D.CraciunV.Craciun, Applied Surface Science, 400, 77-80, 2017. 2. Xinqiang Zhang, et. al. ,Journal of Applied Physics 111(99):14102-13904, 2012. 3.Ho Young Kwak, Hyuk Min Kwon, Sung Kyu Kwon, Jae Hyung Jang, Seung Yong Sung, Su Lim, Hi Deok Lee, https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.658.116. 4. Amirhasan Nourbakhsh,Ahmad Zubair, et. al., DOI: 10.1039/C7NR00088J. 5. Ota, Hiroyuki, Migita, Shinji, et. al., DOI: 10.7567/JJAP.55.08PD01 .
3. 毕业设计(论文)进程安排
2018.12-2019.02,文献调研,翻译,开题报告; 2019.03-2019.04,薄膜制备、表征、分析工作; 2019.05-2019.06,论文撰写,答辩。
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