1947年12月，贝尔实验室的约翰#183;巴丁、沃尔特#183;豪泽#183;布喇顿在威廉#183;肖克利的指导下共同发明了点接触形式的双极性晶体管。

1948年，肖克利发明了采用结型构造的双极性晶体管。

在其后的大约三十年时间内，这种器件是制造分立元件电路和集成电路的不二选择。

早期的晶体管是由锗制造的。

在1950年代和1960年代，锗晶体管的使用多于硅晶体管。

相对于硅晶体管，锗晶体管的截止电压更小，通常约0.2伏特，这使得锗晶体管适用于某些应用场合。

在晶体管的早期历史中，曾有多种双极性晶体管的制造方法被开发出来。

锗晶体管的一个主要缺点是它容易产生热失控。

由于锗的禁带宽度较窄，并且要稳定工作则要求的温度相对硅半导体更严，因此大多数现代的双极性晶体管是由硅制造的。

采用硅材料的另一个重要原因是硅在地球上的储量比锗丰富得多（仅次于氧）。