1. 毕业设计（论文）的内容和要求

金属-氧化物-半导体 晶体管（mosfet）是由美国贝尔实验室发明的。现在的超大规模集成电路芯片中绝大部分都是采用mosfet作为基本单元，因为其功耗低，制备工艺简单，特别有利于器件尺寸的减小。intel的大拇指这么大的core i7 cpu里面集成有7.3亿个mosfet。我们日常生活中常说的cmos工艺，ccd探测技术也都是基于mosfet。

本论文旨在阅读大量文献的基础上，概述mosfet晶体管的工作原理，工艺过程，应用领域。结合文献中大量的基于mosfet的ic电路设计思路和实例，自己设计出一个报警电路。并测试其性能参数，如阈值电压，开关时间，等。

本课题主要内容是：

2. 参考文献

1． technology challenges for ultrasmall silicon mosfet#8217;s, r. h. dennard， journal of vacuum science amp; technology 19, 537 (1981)。

2． sic_mosfet短路特性，秦海鸿, 等，南京航空航天大学学报，50，348（2018）。

3． 二氧化钒_vo_2_薄膜生长及其器件应用研究，卜毅, 华东理工大学硕士学位论文（2018）。

3. 毕业设计（论文）进程安排