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基于ZnO场效应晶体管的优化电子迁移率设计开题报告

 2022-01-25 11:01  

全文总字数:3399字

1. 研究目的与意义及国内外研究现状

随着 集成 电路 加 工 技 术 的 不 断 发 展 , 器 件 加 工 尺度 已进 入 45 nm范 畴 ,当今 , 纳米 尺度 新 型半 导 体 材料 和器 件 的制备 和特 性研 究 越来 越成 为半 导 体器 件领域 的研究 热 点 .通 过 将 碳 纳 米 管 、硅 纳 米 线 等 半导体 纳 米线直 接 搭 接 在 金 属 隔 离 沟 道 电 极 两 端 ,世界上多个研究组 已制作出了纳米尺度的新型场效 应 晶体管, 研究发现 , 这种由单根半导体纳米线组 装 的新型场效应 晶体管 , 具有制备工艺简单成本 低易 于生 产制 造 等特 点 .对 开发 新 型半 导 体 器 件 有 很 大 的参考 和应 用价 值 .近来 纳米 氧化 锌 (zno)半 导 体材 料 的应 用 研 究 已成 为 世 界 范 围 内 半 导 体 材 料 领 域 的 研 究 热 点 . zno是宽禁带半 导体 材料 ,室温 下禁 带宽 度 e = 3. 3 7 ev, 激子束缚能 约为 6 0 me v,有望替代 gan材 料 , 在 发光 和敏 感器 件 的生 产 中得 到 应 用 .目前 ,世界 范 围 内的一 些研 究小 组 已开 展 了利 用 一 维 zn o 纳米 线组 装 场 效 应 器 件 的初 步研 究 。

本次研究旨在提高zno场效应晶体管的转移特性。

国内外研究现状

目前对zno-tft的研究主要关于做为amlcd和0led的象素开关元件。

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2. 研究的基本内容

通过软件对ZnO进行建模仿真,改变ZnO表面结构和载流子浓度,使ZnO场效应晶体管的电学特性得到优化。

主要内容如下 :(1)查阅国内外相关资料,研究ZnO作为场效应晶体管材料的独特优势,包括ZnO的结构和各种特性(2)研究ZnO场效应晶体管的结构和国内外研究现状(2)学习COMSOL软件,了解掌握场效应晶体管的模拟方法(3)利用软件对ZnO场效应晶体管进行建模仿真,改变异质结表面结构,改变载流子浓度(4)设计ZnO场效应晶体管并优化载流子浓度特性,使得效率更高

3. 实施方案、进度安排及预期效果

大概实施方案如下: 1)查阅国内外相关资料,理解和掌握zno的电学特性和场效应晶体管的结构 2)学习comsol软件,了解掌握场效应晶体管的模拟方法 3)在学习并理解的基础上,利用软件对zno长雄安英晶体管进行建模仿真

4)通过软件,设计zno场效应晶体管并优化其载流子浓度特性 进度安排如下:1)2018.12.230—2019.2.23查阅相关资料,掌握zno和场效应晶体管的相关知识,学习comsol软件的具体操作2)2019.2.24—2019.4.20在老师指导下进行zno场效应晶体管建模仿真,优化zno场效应晶体管,着手写毕业论文 3)2019.4.21—2019.5完善毕业论文 预期效果:1)自己能够深刻理解zno的结构和电学特性以及场效应晶体管的结构、特点、优缺点2)熟练掌握comsol软件,能够运用软件达成自己的研究目的3)毕业论文完整正确并且科学严谨4 )自己的实验水平和论文撰写能力有一定提升

5)把自己在大学所学习的知识运用于实践当中进行消化吸收

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4. 参考文献

[1]杨文,林栋,徐磊,寿崇琦.棒状纳米 zno薄膜晶体管效应的测定[j].山东化工, 2010, 39: 1-4.

[2] 华成英,童诗白.模拟电子技术基础(第 4 版) [m].北京:高等教育出版社, 2006.

[3] 刘永,张福海.晶体管原理[m].北京:国防工业出版社, 2002.

[4] a. d. yuris. spinning continuous fibers for nanotechnology [j]. science, 2004, 304: 1917-1919.

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