GaAs中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究开题报告

 2020-02-20 10:02

1. 研究目的与意义(文献综述)

当下作为一个信息时代,我们的社会是充满信息的社会。在半导体科学技术不断的发展中,半导体的工业产品与人们的日常生活息息相关,对人类社会的进步起着十分重要的意义。而且以光电子技术为代表的物理科学的方面进步也与半导体科学技术的发展有着紧密联系。当前,世界半导体材料及技术的发展非常迅速,已经作为衡量各个国家的电子信息技术发展水平的重要标志。


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2. 研究的基本内容与方案

基本内容和目标:

熟悉光致发光和拉曼散射的基本理论知识,掌握光致发光和拉曼散射对实验样品进行实验测试的基本原理和方法。学习显微拉曼光谱系统的结构,原理和操作过程,在掌握使用显微拉曼光谱系统方法的基础上,对gainp/gaas/gainp双异质结样品进行拉曼光谱测量,观察不同激发光功率条件下的lo声子-等离子体激元耦合模高频支的变化;通过经理论公式拟合求解得到的等离子体激元的频率计算出载流子浓度,再通过实验数据的拟合, 得到gaas 中的等离子体激元的阻尼常数,计算出gaas 中的载流子迁移率。

拟采取的技术方案及措施:

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3. 研究计划与安排

第1-3周查阅相关文献资料,明确研究内容,熟悉光致发光和拉曼散射的基本理论知识。确定设计方案,完成开题报告。

第4-5周:对gainp/gaas/gainp双异质结样品进行拉曼光谱测量,观察不同激发条件下的lo声子-等离子体激元耦合模高频支的变化。

第6-9周:通过进行理论计算和拟合, 得到gaas 中的等离子体激元的频率及阻尼常数。

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4. 参考文献(12篇以上)

[1]吕恒,胡昌奎.砷化镓中广延缺陷的光致发光研究[j].人工晶体学报,2018,47(08):1529-1534.

[2]changkui hu, qiong chen, fengxiang chen, et al. overcoming diffusion-relatedlimitations in semiconductor defect imaging with phonon-plasmon-coupled moderaman scatterin[j]. light: science amp; applications, 2018,7:23-30

[3]fengxiang chen, yong zhang, t. h. gfroerer,et al. spatial resolution versusdata acquisition efficiency in mapping an inhomogeneous system with speciesdiffusion[j]. scientific reports, 2015, 5:10542

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