1. 毕业设计（论文）的内容和要求

利用物理沉积技术在石英衬底上制备mos2薄膜，通过调控生长工艺参数（温度、气压）实现对mos2薄膜的电导率的控制。

总结工艺条件对mos2薄膜电学输运性质的影响。

要求生长温度：25-700℃；气压：0.01～10pa。

2. 参考文献

1.Jiahao Kang, Wei Liu, and Kaustav Banerjee, Appl. Phys. Lett. 104, 093106 (2014). 2. Y. P. Venkata Subbaiah , K. J. Saji , and A. Tiwari, Adv. Funct. Mater. 2016, 26, 2046#8211;2069. 3. K. JAGANNADHAM, J. CUI, Y. ZHU, Journal of ELECTRONIC MATERIALS. 4. Gene Siegel, Y. P. Venkata Subbaiah, Megan C. Prestgard, and Ashutosh Tiwari, APL MATERIALS 3, 056103 (2015). 5. Claudy R. Serrao, Anthony M. Diamond, Shang-Lin Hsu, Long You, Sushant Gadgil, James Clarkson, Carlo Carraro, Roya Maboudian, Chenming Hu, Sayeef Salahuddin, APPLIED PHYSICS LETTERS 106, 052101 (2015). 6. Martha I. Serna, Seong H. Yoo, Salvador Moreno, Yang Xi, Juan Pablo Oviedo, Hyunjoo Choi, Husam N. Alshareef, Moon J. Kim, Majid Minary-Jolandan, Manuel A. Quevedo-Lopez, ACS Nano 2016, 10, 6054#8722;6061.

3. 毕业设计（论文）进程安排

2017年12月～2018年1月 熟悉课题内容，文献调研，文献翻译，开题。

2018年3月～2018年4月 实验，数据测量与分析，论文草稿。

2018年5月～2818年6月 论文定稿，答辩。