MoS2基场效应晶体管研究进展文献综述
2020-06-08 09:06
一、 Mos2物理性质研究
TMDCs(MoSe2,MoTe2,WS2,和WSe2等)是很好的研究具有较大能隙的层状材料由散装改为分层形式(间接到直接)过渡从而产生独特的物理性质的材料[1],这些未来将会采用在半导体设备上[2]。尤其令人注意的是由透明胶带技术常规制备和化学气相沉积(CVD)法制成的二硫化钼(MoS2),几十年来,由于其在电子和光学性质上精巧的分层形式、纳米结构等其他架构,而广受瞩目[3-8]。因为 MoS2层与层之间存在相互作用较弱的范德瓦耳斯力,其从19世纪开始便被用作润滑剂[9, 10],并由其较高的润滑系数(0.1-2N的压力承载对应摩擦系数lt;0.1 )[11]及在氧化环境中的热稳定性(350度),在空间科技、超高真空、自动传输摩擦学等等领域中有广泛的应用[12]。此外,MoS2还是一种高强度的力学材料:单层MoS2强度是钢铁的30倍,并且能够达到11%的形变而不断裂。
二、Mos2材料的发展历程
1、Mos2研究回顾
世界各地的许多研究已经开始探讨如何用Mos2这种有前途的材料用在下一代光电器件上,像光电子跃迁材料[13],晶体管[ 14 ],化学传感器[15],光电探测器[16],放大器[17],和电池[18,19]等等。特别是,控制标签谷极化MoS2层状材料可以放置在valley-electronic设备上[20,21]。作为一个最简单形式的层状MoS2,科学家们一直拿其调查并将其与石墨烯[22]对比,后者因为具有的无间隙特性使得在光电器件上应用还不成熟。几个研究小组还调查了在制备MoS2纳米片中MoS2的纳米结构,包括纳米层和纳米带晶体管[23-25]。带隙的MoS2分层结构从1.2 eV的间接带隙可变化为1.9 eV的直接带隙[26],这让其在未来的半导体器件,特别是光电设备的发展中发挥关键作用。
2、Mos2场效应管的应用现状
1) MOS2场效应管在恒温电炉箱中的应用
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