半导体异质结的磁阻效应研究开题报告

 2020-02-10 11:02
1.目的及意义(含国内外的研究现状分析)

碳作为一种独特的材料,在不同领域里显示出惊人的特性。它可以通过不同的方法制备成晶体、多晶和非晶同素异形体。碳与硅都是碳族元素,它们电子排布相似,有4个价电子,这将有利于碳与硅基器件的集成。碳的成本低廉,在地球中的储量巨大,这也为研究低成本半导体材料提供了一个新的研究方向,但是碳的两种常见形态不适合制成半导体:金刚石的禁带宽度高达5.47eV[18] ,室温下电阻率大约是1013Ω·cm,石墨则是良好的导体。因此利用碳制备半导体材料需要使用其他形态的碳。

无定形碳又称为过渡态碳,是碳的同素异形体中的一大类。无定形碳指那些石墨化晶化程度很低,近似非晶形态的碳。无定形碳是石墨层型结构的碎片(一般直径小于30nm)无规则地堆积在一起,可简称为乱层结构。层间或碎片之间用金刚石结构的sp3成键方式的碳原子键连起来。非晶碳硅异质结(a-C/Si)以其丰富的光学、磁性和电学性能引起了人们的广泛关注。碳硅异质结大多是通过脉冲激光沉积(PLD)或是磁控溅射在硅基片上制备一层非晶态碳薄膜来制备的,通过改变沉积方法和沉积条件可以控制微观结构和SP3键的体积分数,进而改变非晶态碳硅异质结的物理性质。高熙礼等人[14,15]利用磁控溅射制备了一些非晶态C-Si异质结并对其电学性质进行了一些研究。Xue等人[3]通过改变激光脉冲沉积的沉积温度,得到了一些电学特性完全不同的碳硅异质结,并发现了异质结的异常电输运特性。对异质结的碳薄膜进行掺杂处理后还可以表现出一些特殊性质。

您需要先支付 5元 才能查看全部内容!立即支付

该课题毕业论文、开题报告、外文翻译、程序设计、图纸设计等资料可联系客服协助查找,微信号:bysjorg 、QQ号:3236353895;