1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述 1.课题方向简介 随着现代无线通讯产业、物联网、可穿戴电子、智能运输系统的快速发展，相应系统和器件正在向多功能、小型化、柔性、轻量、低成本和高频的方向发展，对介电材料的性能进一步提出新的要求，对性能优异的微波介电陶瓷材料的需求不断增加[5]。

低温共烧陶瓷技术可以实现高密度集成电路，以及无源器件与有源器件的混合集成，进而实现器件和系统的小型化和多功能化，故低温共烧陶瓷（ltcc）技术已经充分发展并且在无源器件集成中变得至关重要[1-6]。

陶瓷介电性能的优劣决定了陶瓷器件的质量 ,而评价陶瓷介电性能的主要参数是相对介电常数#400;r、品质因数q#215;f 或介质损耗tanδ(q=1/tanδ)和谐振频率温度系数τf ，下面详细介绍一下这三个性能指标： 1)介电常数r 在外电场的作用下，组成介质中原子或离子的内部电子壳层产生变形，正负电荷发生相对位移，以及分子的固有电矩趋向与电场平行等，都在宏观上表现为电极化现象。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

一、课题研究与解决问题 本实验展开对磁性离子掺杂对钼酸镁微波介质陶瓷的性能调控的研究，主要包括： 1．熟悉mgmoo4陶瓷的制备工艺流程。

2．研究不同磁性离子（mn、co、ni）掺杂对钼酸镁的晶相组成、微观结构、介电常数、品质因数及其谐振频率温度系数的影响。

3．了解微波介质陶瓷的制备方法及各种方法的优缺点。