随着电子整机和电子元器件朝着微型、轻量、 高速、高效、高集成度、高可靠性和大功率输出方向快速发展，器件单位体积内所产生的热量急剧增加，这对基片和封装材料的散热提出了更高要求。如果热量不能由基板及时散发出去，器件将难以正常工作，严重情况下，甚至会烧毁。为满足这一要求，国内外研究人员开发了一系列陶瓷基片材料，其中包括氮化铝、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硼、氮化硅等。但是氧化铝的热导率太低且热膨胀系数与硅不相适应，故氧化铝陶瓷材料已经渐渐难以适应越来越高的性能要求，而氧化铍也因成本高和对水体有污染而使用受限，由氮化铝制备的介电陶瓷完全能够代替SiC 或氧化铍使用，其导热系数略低于碳化硅和氧化铍陶瓷，但相较于氧化铝陶瓷要高出近10 倍，氮化硅制备陶瓷的机械强度很高，其体积电阻率可达10¹⁴数量级。介电损耗1×10^-4 MHz，固态介质薄膜的击穿电压等电学特性和氧化铝瓷极为相似。氮化铝的热膨胀系数约3.4×10^-6K^-1，单晶硅片热膨胀系数为3.5×10^-6K^-1 ，两者较为接近，所以支撑体与膜层匹配度高，不会由于发热膨胀而开裂断线，可进行多层布线，保证了芯片的质量。氮化铝（AlN）陶瓷由于具有高导热率，低介电常数，优异的绝缘性能和适当的膨胀系数等显着性能，在电子领域显示出了广阔的应用前景。然而，大多数商业AlN颗粒是通常呈角状，由于流动性差和填料负荷低导致很难获得高的导热性能。因此，综合研究球形AlN颗粒在科学研究和工业技术中的应用非常重要并且势在必行。

国内外现在有许多人研究球形氮化铝陶瓷粉体，Suehiro T等人利用气体还原氮化法合成球形AlN颗粒。Ohashi等人通过含低熔点助熔剂中的角状AlN粉末的溶液再沉淀技术处理制备球形AlN颗粒。王等人尝试了两步法制备球形AlN颗粒，包括冷冻造粒和随后的烧结过程。万等人通过在NH₃流下热处理无定形Al₂O₃前体合成了单分散的AlN微球。王琦等人通过添加CaF₂和Y₂0₃等助溶剂促进成核来制备球形氮化铝颗粒。然而，由于反应物的不完全转化，通过这些方法制备的AlN颗粒通常显示出略低的球形度或反常杂质,与聚合物混合后，其流动性和分散性往往较差，导致填充率低，复合导热系数低。球形度高的颗粒使固体负载和流动性之间的矛盾得到解决。它们通常在聚合物基体中表现出优异的流动性和明显的分散性，并且由于紧密堆积而有利于增加填料负荷。因此，迫切需要制定精巧的方法来有效地制造球形度高，性能强的球形AlN颗粒。

本课题主要研究内容是通过两步法来制备球形AlN颗粒，其包括微乳液法制备球形的碳铝前驱体，以及之后的碳热还原过程，解决目前的常规方法所制AlN粉体球形度不高的问题，实验中将研究碳铝比，水相浓度，PVA浓度等对球形氮化铝粉体的影响以获得高球形度、高纯度的氮化铝粉体。