原料对多孔碳化硅陶瓷性能的影响文献综述
2020-05-01 08:05
1碳化硅材料概述 SiC是一种人工合成的强共价键型碳化物,是一种新型的工程陶瓷材料。
碳化硅陶瓷因具有高温强度大、抗氧化性强、耐磨损性好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。
在航天航空、电子、化工等领域有着广泛的应用。
另外,碳化硅陶瓷被认为在高温结构部件等方面有巨大的发展潜力,是先进热机、热交换器、高强耐磨器件的潜在候选材料,受到国内外许多学者的高度重视[1-2]。
然而,SiC纳米粉体粒径小、表面能高、易团聚,很难实现均匀分散。
分散是分级的基础。
所以,本文起始探讨了磁力搅拌、超声搅拌、先超声后磁力搅拌各自对颗粒分散的影响,尔后试验了不同浓度、不同种类的分散剂对分散的影响以或得最好的工艺参数来提高分散性及固相含量和粉体的流动性是至关重要的。
多孔陶瓷是多孔质料的一种,又称为气孔功能陶瓷,是指具含有一定尺寸和数量的孔隙结构的新型陶瓷材料[14]。
在 生产制备陶瓷的过程中,常用发泡剂使坯料内部产生许多开孔孔隙,以增大它的开气孔率[15]。
多孔陶瓷有较大的比表面积,对细颗粒吸附能力高、耐高温、耐腐蚀、机械强度较大、硬度高、使用时间长等突出优点,常被用来作为气固分离材料,适用于包括石油化工,吸附载体,医疗卫生,金属冶炼等领域[10-11]。
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