1. 毕业设计（论文）的内容和要求

由于社会的不断发展，以及人类对新资源、新材料的不断探索，大家开始追求更加节能，更加环保的新型材料。近些年光催化材料成为人们研究的热点。高效的光催化材料必须具备合适的带隙，一方面为了拓宽光谱响应范围，提高太阳能利用率，要求带隙要足够小；另一方面，带隙必须要跨越相关的光催化反应的氧化还原电位。除了光学吸收属性外, 光催化半导体还需要有高的载流子迁移率以利于电子-空穴分离, 避免它们重新复合而未用于水解反应。 二维材料异质结构是近年来兴起的二维材料特性调控手段，它不仅能有效调控二维薄膜的能带结构，而且能有效的分离电子-空穴对，使其成为较好的光催化材料。

本课题从原子尺度出发，利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究了单层二硫化钼和二硫化钨以及构成mos₂/ws₂ 异质结构的结构特征及物理性质，进而探讨了异质结结构对能带的调控作用。

本次论文的内容为：

2. 参考文献

1. k.f. mak, c. lee, j. hone, j. shan, t.f. heinz, atomically thin mos2: a new direct-gap semiconductor. phys. rev. lett., 105, 136805, 2010.

2. a. splendiani, l. sun, y. zhang, t. li, j. kim, c.y. chim, g. galli, f. wang, emerging photoluminescence in monolayer mos2. nano letters, 10(4), 1271-1275, 2010.

3. b. radisavljevic, a. radenovic, j. brivio, v. giacometti, a. kis, single-layer mos2 transistors. nature nanotechnology, 6(3), 147-150, 2011.

3. 毕业设计（论文）进程安排