1. 毕业设计（论文）的内容和要求

毕业论文内容包括封面、中英文摘要、目录、正文、参考文献、附录(可选)、致谢(可选)等，其中正文应包括如下实验内容和分析： 1、采用高温退火研究高纯SiC晶体电阻率变化； 2、分析SiC晶体中的缺陷和电学性能的关系。

2. 参考文献

[1] P.A. Ivanov, V.E. Chelnokov, Semicond. Sci. Technol. 7 (1992) 863 [2] H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 6835#8211;6847 [3] H. Kondo, H. Takaba, M. Yamada, Y. Urakami, T. Okamoto, M. Kobayashi, et al., Mater. Sci. Forum 778#8211;780 (2014) 17#8211;21,. [4] N. Hoshino, I. Kamata, Y. Tokuda, E. Makino, N. Sugiyama, J. Kojima, et al., Appl. [5] Sriram S，Siergiej R R，Clarke R C，et al Physica．Status．Solidi，rn，，1997，162(1)：441 457 [6] Kato Tomohisa，Oyanagi Naoki，Yamaguchi Hirotaka，et al，Journal D，Crystal Growth，2001，222(3)：579#8212;585 [7] Augustine G，Hobgood H McD，Balakrishna V．et a1．Physica Status Solidi，（b），1997，202(1)：137#8212;148 [8] 陈之战，肖 兵，施尔畏，庄击勇，刘先才大尺寸6H#8212;Si C半导体单晶材料的生长，无机材料学报，1000#8212;324X(2002)04#8212;0685#8212;06 [9] 实验研究缺陷对SiC晶体电学性能的影响，彭同华,刘春俊,王波,等.宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展[J].人工晶体学报, 2012, S1: 234-241. [10] V朱灿.溶液法生长碳化硅晶体中表面形貌及缺陷的研究[D].哈尔滨工业大学, 2014.王英民,魏汝省, 李斌,等.15.24cm（6 英寸）高纯半绝缘 4H-Si C 单晶生长[J].电子工艺技术, 2016, 37(5):305-306. [11] 刘军林. Si C 单晶制备与晶体缺陷研究[D].西安交通大学. 2006 [12] 宋生,胡小波,徐现刚.半绝缘 Si C 单晶生长和表征[J].人工晶体学报, 2012, S1: 166-169. [13] 陈之战,施尔畏,肖兵,等.原料对碳化硅单晶生长的影响.无机材料学报[J]. 2003, 18(4): 737-743. [14] W Ohtani N, Katsuno M, Fujimoto T, et al. Surface Step Model for Micropipe [15] Formation in Si C[J]. Journal of Crystal Growth, 2001, 226: 254-260.

3. 毕业设计（论文）进程安排

1.启动阶段（2017年12月22日之前）：公布工作计划、确定指导教师、申报毕业设计（论文）题目，学生选题，任务书下达，知道学生查阅文献，做好开题前期工作。

2.开题阶段（2018年1月12日前）：在广泛查阅资料的基础上，完善课题研究方案，完成外文翻译、文献综述和开题报告等工作，组织开题论证和初期检查工作。

3.实施阶段（2018年6月1日间）：进行课题的实验、设计、调研及结果的处理和分析等，完成毕业设计说明书或论文写作，进行毕业设计（论文）的查阅和修改完善。