NaLaMgWO6:Eu3 荧光粉的制备及A位基质取代的诱导增强文献综述
2020-05-24 12:05
文 献 综 述 1引言 当今社会经济快速发展,人类对能源的需求日益增大,节能减排是缓解能源紧缺的主要途径。
白色发光二极管(White Light Emitting Didoes,WLED)是一种新型的高效光源,因其具有体积小、寿命长、响应快速、环保等特点,引起了人们的高度关注,在平板显示背光源、汽车前照灯、道路照明、景区及隧道照明等领域获得了初步应用,随着技术的逐步成熟,白光LED将替代传统照明光源而成为第四代光源[1]。
2白光LED的发展历程 早在1907年,H.J.Round 就在半导体材料中观测到了发光现象[2]。
二十世纪六十年代,Holonyak等人[3]利用P-N结发光原理制成具有实用价值的GaAsP红光二极管,开创了人们对于半导体发光材料研究的先河。
随后,Maruska和Tietjen等人[4]采用化学气相沉积法制备了GaN薄膜,并经过改性提高了性能降低了成本,成功的进入市场。
经过几十年来各国专家学者的不懈钻研,直到1995年,日本的日亚公司宣布成功研制出高亮度的Ⅲ-Ⅴ族氮化物蓝光发光二极管[5]。
之后通过在GaN基蓝光LED芯片上涂覆YAG黄色荧光粉而制备了第一只白光LED。
目前,大功率的白光LED已经实现商业化应用,而其他各色LED的光效也得到提高[6-7]。
白光LED效率的迅速提高一方面得益于GaN基蓝光芯片效率的提高,另一方面得益于荧光粉性能的改进。
为了适应未来普通照明的目标,研究工作在进一步提高流明效率的同时开始向大功率白光LED发展。
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