20世纪60年代，以si、ge为代表的第一代半导体（元素半导体）产业成熟，使以集成电路为核心的微电子工业得到飞速发展；到上世纪70年代，引入了以gaas、inp为代表的第二代半导体（化合物半导体），满足了超高速、微波大功率、集成电路的需求；20世纪末，为了满足无线通讯、雷达等应用对高频、宽带宽、高效率、大功率器件的需要，人们的研究重心开始转向以gan、sic为代表的第三代半导体（宽禁带半导体）。

它们具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子饱和速度等优越的材料性能。

2. 研究的基本内容与方案

1、了解用hvpe异质外延生长gan薄膜，剥离得到自支撑gan体材料的基本工艺。

2、掌握2ppl、pat测试的原理与使用方法。

2.3 技术方案

3. 研究计划与安排

第1—3周：查阅有关gan材料的文献资料，完成英文翻译。明确课题的研究内容，了解研究所需的样品、仪器和设备。确定技术方案，并完成开题报告。

第4—5周：准备实验样品。用hvpe法在蓝宝石衬底上异质外延gan薄膜，激光剥离、抛光后获得待测的自支撑gan晶片。

第6—7周：了解2ppl测试的原理，学习2ppl的操作方法，用2ppl法表征自支撑gan晶片，计算处理获得gan晶体内部穿透位错的三维图像。

4. 参考文献（12篇以上）

[1] tomoyuki tanikawa, kazuki ohnishi, masaya kanoh. three-dimensional imaging of threading dislocations in gan crystals using two-photon excitation photoluminescence[j]. applied physics express, 2018, 11(3):031004.

[2] d. m. follstaedt, s. r. lee, a. a. allerman. strain relaxation in algan multilayer structures by inclined dislocations[j]. journal of applied physics, 2009, 105(8):083507.

[3] ryohei tanuma, hidekazu tsuchida. three-dimensional imaging of extended defects in 4h-sic by optical second-harmonic generation and two-photon-excited photoluminescence[j]. applied physics express, 2014, 7(2):021304.