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基于Co-BTA金属有机配位聚合物薄膜的信息存储器件的制备及性能研究开题报告

 2020-05-02 06:05  

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

文 献 综 述 基于co-bta金属有机配位聚合物薄膜的信息存储器件的制备及性能研究综述 摘要:阻变存储器是一种非常新颖的非易失性存储器概念,通过利用某些薄膜材料在外加电场的作用下表现出的两个或两个以上的不同阻态来实现数据存储。

配位聚合物是由有机配体和中心离子, 通过配位键结合,以自主装的方式形成的具有一维、二维或三维无限网络结构的配位聚合物。

本文综述了存储器的分类、结构,配位聚合物的分类、合成方法及应用前景。

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

一、研究的问题: 设计制备一种新型的具有一维链结构的金属有机配位聚合物薄膜,并对配位聚合物薄膜的结构及性能进行系统研究,继而将配位聚合物薄膜应用于信息存储器件,获得具备高开关比、低开启电压的非易失性闪存存储器(flash memory)。

具体研究内容如下: 1、以苯四胺四盐酸盐为配体,钴离子为中心离子,在气液界面进行厚度可控的具有一维链结构配位聚合物(co-bta)薄膜的制备。

2、借助sem, xrd, ftir等表征手段对所制备的薄膜材料进行光谱测试、成膜性、表面形貌、及微观形态的表征;计算和分析所制备的聚合物材料的能级和带隙。

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