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氧化钼对n型硅异质结电池性能影响的模拟研究文献综述

 2020-05-02 05:05  

文 献 综 述 1.前言 在能源问题与环境问题都愈演愈烈的当下,人类更多的会去思考如何在保证环保的前提下,高效率低成本的解决能源问题。

光伏(PV)设备能将太阳光直接转换为电能。

由于太阳可以为地球提供人类目前消耗的能量的10,000倍以上,所以PV有极大可能成为一个产能巨大且环境友好的能源[1]。

与传统的电网电力相比,长期以来其价格使用成本仍然很昂贵。

然而,太阳能电力现在可以以0.10-0.20 #8364;/kWh的价格与电网竞争。

这其中的价格下降可以通过光伏技术的逐渐稳定,以及成本的降低来解释,更是由于制造规模的增加以及技术的重大进步。

2.硅异质结太阳能电池 2.1异质结的概念及概述 图1. 硅异质结电池结构 异质结是一个界面区域,如图一所示,是由两种不同的半导体相接触形成。

SHJ器件是否成功的关键是能否通过插入具有更宽的带隙的钝化半导体薄膜将高度重组-活性(欧姆)触点与晶体表面的分离。

理想情况下,SHJ器件缓慢地通过该缓冲层充电以形成高电压,但是又足够快的可避免载体在收集之前重新组合。

因此,缓冲层可以被认为是为了载体而提取出的半透膜。

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