PZT基压电陶瓷靶材制备任务书
2020-04-29 06:04
1. 毕业设计(论文)主要内容:
pzt薄膜因其具有较大的压电系数、优异的介电性能、较小的漏电流密度等优点,被广泛应用于微电子的各个领域,如铁电存储器、振动能量采集器等。磁控溅射技术作为一种制备pzt薄膜的常用技术,具有高速(镀膜速度快)和低温(镀膜时衬底温度低)的优点,被广泛应用于制备高质量薄膜。在磁控溅射镀膜中,靶材作为薄膜的物质源,直接关系到pzt薄膜的质量,故高质量的靶材是获得高质量薄膜的关键。本课题拟采用固相烧结法制备pzt基压电陶瓷靶材,通过优化靶材制备技术,改善靶材的微观结构,并提高靶材的力学性能,最终制备出一种符合磁控溅射要求且能制备出性能优异的pzt薄膜的靶材。
1.文献调研,了解国内外相关研究概况和发展趋势,掌握磁控溅射用靶材的要求及对应的工艺关键;
2.以pzt-5粉末为原材料,对固相烧结法制备pzt基压电陶瓷靶材的工艺参数进行优化研究;
2. 毕业设计(论文)主要任务及要求
1.查阅不少于15篇的参考文献(其中近5年英文文献不少于3篇),完成开题报告;
2.掌握固相烧结法制备陶瓷靶材,以及pzt基压电陶瓷靶材结构与性能的表征方法;
3.掌握磁控溅射法制备pzt薄膜,以及pzt薄膜结构与性能的表征方法;
3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排
第1-3周:查阅相关文献资料,完成英文翻译。明确研究内容,了解研究所需原料、仪器和设备。确定技术方案,并完成开题报告;
第4—7周:按照设计方案,制备pzt基压电陶瓷靶材;
第8-9周:采用xrd、fe-sem等测试技术对pzt基压电陶瓷靶材的物相、显微结构进行测试;
4. 主要参考文献
[1] 迟庆国. la和ca掺杂pbtio3磁控溅射靶材制备及薄膜结构表征[d]. 哈尔滨工业大学, 2006.
[2] 王飞. 磁控溅射法制备pzt薄膜研究[d]. 大连理工大学, 2013.
[3] wong l h, lai ys. characterization of boron-doped zno thin films prepared by magnetronsputtering with (100#8722;x)zno–xb2o3 ceramic targets[j]. thinsolid films, 2015, 583: 205-211.
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