CVD制备SiO2改性层及对MOS气体传感器性能的影响任务书
2020-04-22 07:04
1. 毕业设计(论文)主要内容:
金属氧化物(mos)传感器是目前应用最为广泛的一类气体传感器。mos传感器目前存在的最大问题在于选择性不足。h2测量在航空航天、能源工业中有重要地位。本论文采用cvd法在mos气体传感器表面制备表面改性层,以提高传感器对h2的选择性和敏感性。毕业论文主要内容包括:
1. 文献调研,了解国内外相关研究概况和发展趋势;
2. cvd法制备sio2改性层、制备气体传感器;
2. 毕业设计(论文)主要任务及要求
1.查阅不少于15篇的参考文献(其中近5年英文文献不少于3篇),完成开题报告;
2.完成sio2改性层制备、传感器制备;
3.完成材料的表面形貌和气敏性能分析;
3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排
第1-3周:查阅相关文献资料,完成英文翻译。明确研究内容,了解研究所需原料、仪器和设备。确定技术方案,并完成开题报告。
第4-7周:按照设计方案,完成传感器制备。
第8-11周:sem分析、氢气、vocs气敏性能测量。
4. 主要参考文献
[1] mehrdad asgari, fahimeh hooriabad saboor, yadollah mortazavi, abbasali khodadadi. sno2 decorated sio2 chemical sensors: enhanced sensingperformance toward ethanol and acetone [j]. materials science in semiconductorprocessing, 2017, 68: 87-96.
[2] ye zhu, zhixuan cheng, qun xiang, xikun chen, jiaqiang xu. synthesisof functionalized mesoporous tio2-sio2 with organic fluoroalcohol as highperformance dmmp gas sensor [j]. sensors and actuators b, 2017, 248: 785-792.
[3] l. fekri aval, s.m. elahi, e. darabi, s.a. sebt. comparison of themos capacitor hydrogen sensors with different sio2 film thicknesses and ani-gate film in a 4% hydrogen–nitrogen mixture [j]. sensors and actuators b,2015, 216: 367-373.
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