1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述

1.前言

随着科技的进步，传统的材料已越来越不能满足人们的需求，迫切需要人们去找寻具有高性能、高集成、低能耗等特点的新型材料。2004年，英国科学家 andre geim 和 konstantin novoselov 等人利用胶带法成功分离出单层石墨烯^[1]，为苦苦寻找新型材料的人们提供了新的方向。石墨烯是由碳原子按照 sp2 杂化成键所构成平面六边形蜂窝状结构，其中长距离π键的存在使其具有许多非凡的热学、力学和电子学方面的特质。它是目前已发现的最薄、最坚硬的纳米材料，同时具有高热导，低电导，高强度等特点，在半导体器件、能量转换与存储、传感器、储氢以及高频电路等领域有着广泛的应用。然而在接下来的众多研究中人们发现，尽管石墨烯具有许多优良特性，但由于本征石墨烯固有的”零带隙”极大的限制了其在半导体器件、集成电路等行业的应用，即使通过材料表面改性使其带隙打开，石墨烯其它已有的优良性能又可能会受到限制，这就促使人们去研究新的二维纳米材料^[2-5]。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

1.要研究或解决的问题

与石墨烯的零带隙相比较，二维过渡金属硫族化合物(tmds)具有固有的半导体特性，优良的电学性能，为其在纳米器件方面的应用奠定了良好的基础。原子掺杂是调制二维材料性能的有效方法。本课题主要是通过对二维tmds主要有mose₂、wse₂、wte₂ 、mos₂ 和 ws₂，进行原子掺杂，调制二维tmds 的电学性能，为二维tmds纳米电子器件方面的应用提供理论指导。

2.拟采用的研究手段