文 献 综 述 1前言 铜铟硒薄膜太阳电池是以多晶CuInxGa1-xSe2 (CIGS)半导体薄膜为吸收层的太阳电池，金属镓元素部分取代铟，又称为铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池。

CIGS材料属于I -Ⅲ-VI族四元化合物，具有黄铜矿的晶体结构。

CIGS薄膜太阳电池自20世纪70年代以来，得到非常迅速的发展，目前已经成为国际光伏界的研究热点，并将逐步实现产业化。

此电池具有以下优点:①带隙结构灵活多变，三元CIS薄膜的禁带宽度是1.04eV，通过适量的Ga取代In，成为CuIn1-x Gax Se2多晶固溶体，其禁带宽度可以在1.04-1.67eV范围内连续调整。

② 光的吸收系数高，达到105 cm-1数量级，使太阳能电池适合于薄膜化。

CIGS吸收层厚度只需1.5-2.5μm,整个电池的厚度为3-4μm，即可保证高效率③相较硅基电池，有更高的光电转化效率理论上限，技术成熟后，制造成本和能量偿还时间将远低于晶体硅太阳电池。

④抗辐照能力强，用作空间电源有很强的竞争力。

⑤转换效率高。

2017年高科技设备制造商德国Manz集团研制的小面积CIGS太阳电池的转换效率已达到22.6％，是当前薄膜电池中的最高记录。

⑥电池稳定性好，基本不衰减。