1. 毕业设计（论文）的内容和要求

毕业设计内容： （1）不同层厚多型性二硫化钼纳米薄片的制备。

（2）通过光学衬度差法区分多型性二硫化钼纳米薄片的厚度。

（3）通过拉曼光谱法分别研究不同层厚多型性二硫化钼纳米薄片的拉曼特征。

2. 参考文献

参考文献： 1. Lee, J.-U.; Kim, K.; Han, S.; Ryu, G. H.; Lee, Z.; Cheong, H. Raman Signatures of Polytypism in Molybdenum Disulfide ACS Nano 2016, 10, 1948#8211; 1953 2. Puretzky, A. A.; Liang, L. B.; Li, X. F.; Xiao, K.; Sumpter, B. G.; Meunier, V.; Geohegan, D. B. Twisted MoSe2 Bilayers with Variable Local Stacking and Interlayer Coupling Revealed by Low-Frequency Raman Spectroscopy ACS Nano 2016, 10, 2736#8211; 2744 3. Yan, J.; Xia, J.; Wang, X.; Liu, L.; Kuo, J. L.; Tay, B. K.; Chen, S.; Zhou, W.; Liu, Z.; Shen, Z. X. Stacking-Dependent Interlayer Coupling in Trilayer MoS2 with Broken Inversion Symmetry Nano Lett. 2015, 15, 8155#8211; 8161 4. Puretzky, A. A.; Liang, L.; Li, X.; Xiao, K.; Wang, K.; Mahjouri-Samani, M.; Basile, L.; Idrobo, J. C.; Sumpter, B. G.; Meunier, V.; Geohegan, D. B. Low-Frequency Raman Fingerprints of Two-Dimensional Metal Dichalcogenide Layer Stacking Configurations ACS Nano 2015, 9, 6333#8211; 6342 5. Lu, X.; Utama, M. I. B.; Lin, J.; Luo, X.; Zhao, Y.; Zhang, J.; Pantelides, S. T.; Zhou, W.; Quek, S. Y.; Xiong, Q. Rapid and Nondestructive Identification of Polytypism and Stacking Sequences in Few-Layer Molybdenum Diselenide by Raman Spectroscopy Adv. Mater. 2015, 27, 4502#8211; 4508 6. Nguyen, T. A.; Lee, J.-U.; Yoon, D.; Cheong, H. Excitation Energy Dependent Raman Signatures of ABA- and ABC-Stacked Few-Layer Graphene Sci. Rep. 2014, 4, 4630

3. 毕业设计（论文）进程安排

2018.01-2018.02 过渡金属硫属化合物材料的制备和厚度鉴定。

2018.02-2018.03 不同层厚多型性二硫化钼纳米薄片的制备。

2018.03-2018.04 多型性二硫化钼纳米薄片的表征和分析。