1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

1介绍

透明导体（tc）是平板电视，电子阅读器，智能手机，智能玻璃，触摸屏，有机发光二极管（oled）和有机光伏（opv）中的必要组件。^[1]铟 氧化锡（ito）是最常用的透明导体，2013年的销售额约为16亿美元，占透明导体整个市场的93％。 ^[2]在低薄层电阻（玻璃上为10Ωsq^-1）的ito的高透射率（gt; 90％）是ito的普及的主要原因。 然而，ito的几个属性是不期望的。^[3] ito是脆性的并且容易开裂。 地壳中铟的丰度低（0.05ppm），其对应的成本高达约600美元每公斤。 然而，对于100nm ito的厚膜，只有大约2％的成本可以归因于原始铟的成本。^[5] ito薄膜的大部分成本来自慢（线性涂层速率约 0.01 m s^-1），气相溅射工艺，其导致每单位长度的ito膜的开销成本高。此外，从靶溅射的超过70％的ito浪费在溅射室的壁上，必须从该溅射室去除和再循环。除了需要不能增加价值的再循环基础设施之外，溅射过程还有一个主要缺点：薄膜通过率随着薄膜厚度的增加而降低，这使得较厚的高导电性ito比低导电性ito更昂贵。对于ito，典型成本范围从150Ωsq^-1 ito的$ 5.5m^-2，到10Ωsq^-1 ito的最高$ 26m^-2 。特定厚度的ito的生产量对于oled和太阳能电池影响很大，由于需要这些器件承载较高的电流，因此使用具有低薄层电阻的ito（约10Ωsq ^-1）相对昂贵。

诸如ag，cu和au的金属导电性比ito高约50倍，但这些金属的连续膜不是很透明。例如，7nm的au薄膜的透射率为75％，薄层电阻为20Ωsq^-1，[16]和7nm ag和1nm ni的双层膜在56％的透射率下具有13Ωsq ^-1的薄层电阻。

幸运的是，不需要任何自上而下图案化就能获取纳米级金属网，并且实现等同于或优于ito的性能现在已经变的有可能。用可缩放液相合成中第一生长金属纳米线，将纳米线转移到涂覆介质中，以及将纳米线涂覆到透明基底上是可行的。 cambrios技术公司在华盛顿大学younan xia教授的实验室授权下，^[21]在银纳米线上（ag nw）合成开发的基础上，已经完善和改进了ag nws的合成、纯化和涂层，以获得在95%透射率下20Ωsq^-1的薄膜。 ^[22]虽然银（约$ 765 kg ^-1）比铟（约$ 600 kg^-1）更昂贵，但是^[4,23] ag nws可以通过低成本的卷对卷缝模涂布。由于其较低的处理成本，ag nw越来越多地用作由lg和lenovo出售的计算机的触摸传感器中的透明电极。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

1、课题主要研究内容及关键技术：

1.1 研究内容

本课题为近年来在银纳米线材料制备与应用研究工作的延续与深入，研究内容大致可分为以下三个部分：