登录

  • 登录
  • 忘记密码?点击找回

注册

  • 获取手机验证码 60
  • 注册

找回密码

  • 获取手机验证码60
  • 找回
毕业论文网 > 开题报告 > 材料类 > 材料化学 > 正文

Sn-Al共掺杂ZnO薄膜的制备及性能研究开题报告

 2020-04-28 08:04  

1. 研究目的与意义(文献综述)

在近几十年里,材料科学取得了长足的进展。具备各种优异性能的新材料层出不穷。材料的选择范围已经不再仅仅局限于少数几种传统材料.而是包括了种类繁多、性能和用途各异的成千上万种新型材料。近年来由于微电子等领域内薄膜材料科学技术的飞速发展, 薄膜制备技术也得到了迅速发展,并在高技术、新材料领域中起着举足轻重的作用。

而作为宽禁带半导体材料的氧化锌(zno)薄膜在近年来则是一个热点。zno晶体为六方纤锌矿结构,室温下的禁带宽度为3.3ev,晶格常数a =0.325 nm,c = 0.521nm[1]。早在三十年前,人们就发现了电子束泵浦zno体材料低温受激辐射[2],但由于其辐射的强度随温度升高而迅速衰减,故限制了该材料的使用价值。自1997年以来,日本东北大学材料研究所的bagnall等人[3],美国西北大学材料研究中心的cao等人[4],香港科技大学的zu等人[5]先后报道了zno薄膜材料的受激发光现象,这也重新激发了人们对zno薄膜发光特性研究的热情。zno薄膜是一种理想的透明导电薄膜,可见光透射率高达90%,电阻率可低至10-4Ω·cm。zno在紫外波段存在着受激发射更是其显著优点。

此外,zno薄膜激子束缚能为60 mev,还具有良好的机电耦合系数、压敏气敏特性、自清洁和超疏水特性、光电特性及抗辐照特性等而被广泛应用于太阳能电池、发光二极管、气敏传感器、光催化等领域[6,7],同时在紫外探测器、led(发光二极管)、ld(激光二极管)等诸多领域也有着巨大的开发潜力。而且zno薄膜的许多制作工艺与集成电路工艺相容,可与硅等多种半导体器件实现集成化,因而备受人们重视,具有广阔的发展前景。

剩余内容已隐藏,您需要先支付后才能查看该篇文章全部内容!

2. 研究的基本内容与方案

2.1 基本内容包括:

1、材料制备:以二水合醋酸锌(zn(ch3coo)2·2h2o)为主体材料,以九水合硝酸铝(al(no3)3·9h2o)、二水氯化亚锡( sncl2·2h2o)及五水四氯化锡(sncl4·5h2o)为掺杂剂,乙醇胺(mea)为稳定剂,乙二醇甲醚为溶剂,通过溶胶凝胶旋涂法制备sn-al共掺杂zno薄膜。

2、在制备sazo薄膜的基础上,分别研究热处理温度、热处理时间以及离子掺杂量等条件对薄膜性能的影响,以期得到光电性能更佳的透明导电薄膜。

剩余内容已隐藏,您需要先支付后才能查看该篇文章全部内容!

3. 研究计划与安排

第1-3周:查阅相关文献资料,完成英文翻译。明确研究内容,了解研究所需原料、仪器和设备。确定技术方案,并完成开题报告。

第4-7周:按照设计方案,制备sazo薄膜材料。

第8-12周:利用xrd、sem、afm、uv-vis、四探针电阻率测试仪等测试手段对所制备的sazo薄膜材料进行物相、结构和性能表征。

剩余内容已隐藏,您需要先支付后才能查看该篇文章全部内容!

4. 参考文献(12篇以上)

[1] king, s.l; gardeniers, j.g.e; boyd, i.w. pulsed-laser deposited zno for device application. appl surf sci 1996; 96-98: 811-818.

[2] nicoll, f.h. ultraviolet zno laser pumped by an electron beam. appl phys lett,1966; 9:13-15.

[3] chen, y.; bagnall, d.m.; zhu,z.; sekiuchi, t.; park, k.-t.; hiraga, k.; yao, t.; koyama, s.; shen, m.y.; et al. growth of zno single crystal thin films on c-plane (0001) sapphire by plasma enhanced molecular beam epitaxy. appl phys lett, 1997; 70 (17): 2230-2232.

剩余内容已隐藏,您需要先支付 10元 才能查看该篇文章全部内容!立即支付

企业微信

Copyright © 2010-2022 毕业论文网 站点地图