1. 毕业设计（论文）的内容和要求

铟镓锌氧薄膜晶体管具有迁移率高、关态漏电流低、均匀性好和制造成本低等优越特性，然而其器件的稳定性却成为了制约其应用的关键因素之一。本文拟采用快速脉冲i-v来表征在不同电应力下igzo tft器件的输出特性和转移特性曲线，由其得到阈值电压、载流了场效应迁移率、亚阈值摆幅和电流开关比等参数的变化，并在此基础上来研究器件的退化特性。最后比较采用快速测量与传统慢的测量方法得到结果的区别，同时研究和分析其中的物理机制。

要求：

2. 参考文献

[1]王槐生. 薄膜晶体管器件在动态应力下的退化研究[d].苏州大学,2016.

[2]周大鹏. 非晶硅薄膜晶体管在栅漏电应力下的退化研究[d].苏州大学,2011.

[3]强蕾. 非晶半导体薄膜晶体管模型研究及参数提取[d].华南理工大学,2015.

3. 毕业设计（论文）进程安排